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GA060TH65 데이터시트 PDF




GeneSiC에서 제조한 전자 부품 GA060TH65은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 GA060TH65 자료 제공

부품번호 GA060TH65 기능
기능 Silicon Carbide Thyristor
제조업체 GeneSiC
로고 GeneSiC 로고


GA060TH65 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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GA060TH65 데이터시트, 핀배열, 회로
Silicon Carbide Thyristor
Features
6500 V Asymmetric SiC NPNP Thyristor
150 °C operating temperature
Robust compact fully soldered package
SOT-227 (ISOTOP) base plate form factor
Fast turn on characteristics
Lowest in class Qrr/IT(AVM)
Applications
Grid Tied Solar Inverters
Wind Power Inverters
HVDC Power Conversion
Utility Scale Power Conversion
 Trigger Circuits/Ignition Circuits
Maximum Ratings
Parameter
Repetitive peak forward voltage
Repetitive peak reverse voltage
Maximum average on-state current
RMS on-state current
Non-repetitive peak on-state current
Power dissipation
Operating and storage temperature
Electrical Characteristics
Parameter
Maximum peak on state voltage
Anode-cathode threshold voltage
Anode-cathode slope resistance
Leakage current
Gate trigger current
Holding current
Rise time
Delay time
Reverse recovery charge
Recovered charge, 50% chord
Reverse recovery current
Circuit commutated turn-off time
Thermal Characteristics
Thermal resistance, junction - case
Mechanical Properties
Mounting torque for base
Mounting torque for top
Weight
1. Considering worst case Zth conditions
Package
GA060TH65
VFBM
IT(AVM)
Qrr
= 6500 V
= 60 A
= 2.95 µC
Symbol
VFBM
VRBM
IT(AVM)
IT(RMS)
IT,max
Ptot
Tj, Tstg
Conditions
Tj = 25 °C
Tj = 25 °C
TC 120 °C
TC 120 °C
TC= 25 °C, tp = 2 us, D = 0.1
TC= 25 °C
Values
6500
50
60
104
tbd
919
-55 to 150
Unit
V
V
A
A
A
W
°C
Symbol
VKA(ON)
VKA(TO)
RAK
IL
I
GT
IH
tR
tD
Qrr
Qra
Irm
tq
Conditions
IK = -60 A, Tj = 25 °C
IK = -60 A, Tj = 150 °C
Tj = 25 °C (150 °C)
Tj = 25 °C (150 °C), IK = -60 A
VKA = -6500 V, VGA = 0 V, Tj = 25 °C
VKA = -6500 V, VGA = 0 V, Tj = 150 °C
Tj = 25 °C, tP = 10 µs
Tj = 25 °C
IG = -3 A, VKA = -2200 V
IK = -60 A, Tj = 25 °C
dI/dt = 360 A/us, IK = -60 A, VKA = 20 V
dV/dt(re-app) = -362 V/us, Tj = 25 °C
min.
Values
typ.
-3.90
-3.70
-3.1(-2.8)
9.4(9.5)
20
50
-100
tbd
170
45
2.95
1.6
15
6.7
max.
Unit
V
V
m
µA
mA
mA
ns
ns
µC
µC
A
µs
RthJC
0.136
°C/W
Mb Heat sink surface must be optically flat
Mt
Wt
1.5
1.3
30
Nm
Nm
g
November 2010
http://www.genesicsemi.com/index.php/sic-products/thyristors
Preliminary Datasheet
http://www.genesicsemi.com
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