|
|
|
부품번호 | GA060TH65 기능 |
|
|
기능 | Silicon Carbide Thyristor | ||
제조업체 | GeneSiC | ||
로고 | |||
전체 3 페이지수
Silicon Carbide Thyristor
Features
• 6500 V Asymmetric SiC NPNP Thyristor
• 150 °C operating temperature
• Robust compact fully soldered package
• SOT-227 (ISOTOP) base plate form factor
• Fast turn on characteristics
• Lowest in class Qrr/IT(AVM)
Applications
• Grid Tied Solar Inverters
• Wind Power Inverters
• HVDC Power Conversion
• Utility Scale Power Conversion
• Trigger Circuits/Ignition Circuits
Maximum Ratings
Parameter
Repetitive peak forward voltage
Repetitive peak reverse voltage
Maximum average on-state current
RMS on-state current
Non-repetitive peak on-state current
Power dissipation
Operating and storage temperature
Electrical Characteristics
Parameter
Maximum peak on state voltage
Anode-cathode threshold voltage
Anode-cathode slope resistance
Leakage current
Gate trigger current
Holding current
Rise time
Delay time
Reverse recovery charge
Recovered charge, 50% chord
Reverse recovery current
Circuit commutated turn-off time
Thermal Characteristics
Thermal resistance, junction - case
Mechanical Properties
Mounting torque for base
Mounting torque for top
Weight
1. Considering worst case Zth conditions
Package
GA060TH65
VFBM
IT(AVM)
Qrr
= 6500 V
= 60 A
= 2.95 µC
Symbol
VFBM
VRBM
IT(AVM)
IT(RMS)
IT,max
Ptot
Tj, Tstg
Conditions
Tj = 25 °C
Tj = 25 °C
TC ≤ 120 °C
TC ≤ 120 °C
TC= 25 °C, tp = 2 us, D = 0.1
TC= 25 °C
Values
6500
50
60
104
tbd
919
-55 to 150
Unit
V
V
A
A
A
W
°C
Symbol
VKA(ON)
VKA(TO)
RAK
IL
I
GT
IH
tR
tD
Qrr
Qra
Irm
tq
Conditions
IK = -60 A, Tj = 25 °C
IK = -60 A, Tj = 150 °C
Tj = 25 °C (150 °C)
Tj = 25 °C (150 °C), IK = -60 A
VKA = -6500 V, VGA = 0 V, Tj = 25 °C
VKA = -6500 V, VGA = 0 V, Tj = 150 °C
Tj = 25 °C, tP = 10 µs
Tj = 25 °C
IG = -3 A, VKA = -2200 V
IK = -60 A, Tj = 25 °C
dI/dt = 360 A/us, IK = -60 A, VKA = 20 V
dV/dt(re-app) = -362 V/us, Tj = 25 °C
min.
Values
typ.
-3.90
-3.70
-3.1(-2.8)
9.4(9.5)
20
50
-100
tbd
170
45
2.95
1.6
15
6.7
max.
Unit
V
V
mΩ
µA
mA
mA
ns
ns
µC
µC
A
µs
RthJC
0.136
°C/W
Mb Heat sink surface must be optically flat
Mt
Wt
1.5
1.3
30
Nm
Nm
g
November 2010
http://www.genesicsemi.com/index.php/sic-products/thyristors
Preliminary Datasheet
http://www.genesicsemi.com
Page 1 of 3
| |||
구 성 | 총 3 페이지수 | ||
다운로드 | [ GA060TH65.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
GA060TH65 | Silicon Carbide Thyristor | GeneSiC |
GA060TH65-CAU | Silicon Carbide Thyristor | GeneSiC |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |