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SW100N10 데이터시트 PDF




SEMIPOWER에서 제조한 전자 부품 SW100N10은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 SW100N10 자료 제공

부품번호 SW100N10 기능
기능 MOSFET ( Transistor )
제조업체 SEMIPOWER
로고 SEMIPOWER 로고


SW100N10 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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SW100N10 데이터시트, 핀배열, 회로
SAMWIN
SW100N10
N-channel TO-220 MOSFET
Features
TO-220
High ruggedness
RDS(ON) (Max 11m)@VGS=10V
Gate Charge (Typical 109nC)
Improved dv/dt Capability
100% Avalanche Tested
12
3
1. Gate 2. Drain 3. Source
General Description
This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technology of SAMWIN.
This technology enable power MOSFET to have better characteristics, such as fast
switching time, low on resistance, low gate charge and especially excellent avalanche
characteristics. This power MOSFET is usually used at high efficient DC to DC
converter block and switch mode power supply.
BVDSS : 100V
ID : 100A
RDS(ON) :11mΩ
2
1
3
Order Codes
Item
1
Sales Type
SW P 100N10
Marking
SW100N10
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
VDSS
ID
IDM
VGS
EAS
EAR
dv/dt
PD
Drain to Source Voltage
Continuous Drain Current (@TC=25oC)
Continuous Drain Current (@TC=100oC)
Drain current pulsed
Gate to Source Voltage
Single pulsed Avalanche Energy
Repetitive Avalanche Energy
Peak diode Recovery dv/dt
Total power dissipation (@TC=25oC)
Derating Factor above 25oC
(note 1)
(note 2)
(note 1)
(note 3)
TSTG, TJ
TL
Operating Junction Temperature & Storage Temperature
Maximum Lead Temperature for soldering
purpose, 1/8 from Case for 5 seconds.
*. Drain current is limited by junction temperature.
Thermal characteristics
Symbol
Rthjc
Rthcs
Rthja
Parameter
Thermal resistance, Junction to case
Thermal resistance, Case to Sink
Thermal resistance, Junction to ambient
Package
TO-220
Packaging
TUBE
Value
100
100*
63*
400
± 25
400
15
5
209.1
1.67
-55 ~ + 150
300
Unit
V
A
A
A
V
mJ
mJ
V/ns
W
W/oC
oC
oC
Value
0.60
52.3
Unit
oC/W
oC/W
oC/W
Copyright@ SEMIPOWER Electronic Technology Co., Ltd. All rights reserved.
July. 2014. Rev.2.0
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SW100N10 pdf, 반도체, 판매, 대치품
SAMWIN
Fig. 7. Maximum safe operating area
SW100N10
Fig. 8. Transient thermal response curve
Fig. 9. Capacitance Characteristics
Fig. 10. Gate charge test circuit & waveform
Same type
as DUT
9mA
VGS
VGS
VDS
DUT
10V
QGS
QG
QGD
Charge
nC
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