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SW110N08A 데이터시트 PDF




SEMIPOWER에서 제조한 전자 부품 SW110N08A은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 SW110N08A 자료 제공

부품번호 SW110N08A 기능
기능 MOSFET ( Transistor )
제조업체 SEMIPOWER
로고 SEMIPOWER 로고


SW110N08A 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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SW110N08A 데이터시트, 핀배열, 회로
SAMWIN
SW110N08A
N-channel TO-220 MOSFET
Features
TO-220
High ruggedness
RDS(ON) (Max 7.2m )@VGS=10V
Gate Charge (Typ 107nC)
Improved dv/dt Capability
100% Avalanche Tested
12
3
1. Gate 2. Drain 3. Source
General Description
This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technology of SAMWIN.
This technology enable power MOSFET to have better characteristics, such as fast
switching time, low on resistance, low gate charge and especially excellent avalanche
characteristics. This power MOSFET is usually used at high efficient DC to DC
converter block and switch mode power supply.
BVDSS : 80V
ID : 110A
RDS(ON) : 7.2m
2
1
3
Order Codes
Item
1
Sales Type
SW P 110N08
Marking
SW 110N08A
Package
TO-220
Packaging
TUBE
Absolute maximum ratings
Symbol
VDSS
ID
IDM
VGS
EAS
EAR
dv/dt
PD
TSTG, TJ
TL
Parameter
Drain to Source Voltage
Continuous Drain Current (@TC=25oC)
Continuous Drain Current (@TC=100oC)
Drain current pulsed
(note 1)
Gate to Source Voltage
Single pulsed Avalanche Energy
(note 2)
Repetitive Avalanche Energy
(note 1)
Peak diode Recovery dv/dt
(note 3)
Total power dissipation (@TC=25oC)
Derating Factor above 25oC
Operating Junction Temperature & Storage Temperature
Maximum Lead Temperature for soldering
purpose, 1/8 from Case for 5 seconds.
*. Drain current is limited by junction temperature.
Thermal characteristics
Symbol
Rthjc
Rthcs
Rthja
Parameter
Thermal resistance, Junction to case
Thermal resistance, Case to Sink
Thermal resistance, Junction to ambient
Value
80
110*
69.3*
440
± 20
1052
147
5
266.3
2.1
-55 ~ + 150
300
Unit
V
A
A
A
V
mJ
mJ
V/ns
W
W/oC
oC
oC
Value
0.47
0.5
50.9
Unit
oC/W
oC/W
oC/W
Copyright@ SEMIPOWER Electronic Technology Co., Ltd. All rights reserved.
Feb. 2014. Rev. 1.0
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SW110N08A pdf, 반도체, 판매, 대치품
SAMWIN
Fig. 7. Maximum safe operating area
SW110N08A
Fig. 8. Transient thermal response curve
Fig. 9. Gate charge test circuit & waveform
Same type
as DUT
5mA
VGS
VGS
VDS
DUT
10V
QGS
QG
QGD
Charge
Fig.10. Switching time test circuit & waveform
nC
RGS
10VIN
RL
VDS
DUT
VDD
VDS 90%
VIN 10%
td(on)
10%
tr
tON
td(off)
tf
tOFF
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Feb. 2014. Rev. 1.0
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