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PDF SVD50N06M Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | SVD50N06M | |
| Descripción | MOSFET ( Transistor ) | |
| Fabricantes | Silan Microelectronics | |
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士兰微电子
SVD50N06T/D/M/MJ 说明书
50A、60V N沟道增强型场效应管
描述
SVD50N06T/D/M/MJ N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应
晶体管采用士兰微电子新型平面低压 VDMOS 工艺技术制造。先
进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电
阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于电子镇流器，低功率开关电源。
特点
∗ 50A，60V，RDS(on)(典型值)=18mΩ@VGS=10V
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ 提升了 dv/dt 能力
2
1
3
1.栅极 2.漏极 3.源极
1
3
TO-252-2L
1
23
TO-251J-3L
1
23
TO-251D-3L
1
23
TO-220-3L
命名规则
SVDXNEXXX
士兰VDMOS产品标识
额定电流标识,采用1-2位数字；
例如:4 代表 4A,10 代表 10A,
08 代表 0.8A
沟道极性标识，N代表N 沟道
封装外形标识
例如：T:TO-220; D:TO-252;
M:TO-251D; MJ:TO-251J
额定耐压值，采用2位数字
例如：60表示600V,65表示650V
特殊功能、规格标识，通常省略
例如：E 表示内置了ESD保护结构
产品规格分类
产品名称
SVD50N06T
SVD50N06D
SVD50N06DTR
SVD50N06M
SVD50N06MJ
封装形式
TO-220-3L
TO-252-2L
TO-252-2L
TO-251D-3L
TO-251J-3L
打印名称
SVD50N06T
SVD50N06D
SVD50N06D
SVD50N06M
SVD50N06MJ
材料
无铅
无卤
无卤
无卤
无卤
包装
料管
料管
编带
料管
料管
杭州士兰微电子股份有限公司
Http://www.silan.com.cn
版本号：1.5 2015.02.13
共9页 第1页
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士兰微电子
SVD50N06T/D/M/MJ 说明书
典型特性曲线（续）
图7. 击穿电压vs.温度特性
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
-100 -50
注：
1. VGS=0V
2. ID=250µA
0 50 100 150 200
结温 – TJ(°C)
图9-1. 最大安全工作区域(SVD50N06T)
103
此区域工作受限于RDS(ON)
102
101
100
10-1
100µs
1ms
10ms
DC
注：
1.TC=25°C
2.Tj=150°C
3.单个脉冲
100 101
漏源电压 - VDS(V)
102
图9-3. 最大安全工作区域(SVD50N06MJ)
103
此区域工作受限于RDS(ON)
102
101
100
10-1
100µs
1ms
10ms
DC
注：
1.TC=25°C
2.Tj=150°C
3.单个脉冲
100 101
漏源电压 - VDS(V)
102
杭州士兰微电子股份有限公司
Http://www.silan.com.cn
图8. 导通电阻vs.温度特性
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-100 -50
注：
1. VGS=10V
2. ID=25A
0 50 100 150 200
结温 – TJ(°C)
图9-2. 最大安全工作区域(SVD50N06D/M)
103
此区域工作受限于RDS(ON)
102
101
100
10-1
100µs
1ms
10ms
DC
注：
1.TC=25°C
2.Tj=150°C
3.单个脉冲
100 101
漏源电压 - VDS(V)
102
图10. 最大漏极电流vs. 壳温
50
40
30
20
10
0
25 50 75 100 125 150
壳温 – TC(°C)
版本号：1.5 2015.02.13
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| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SVD50N06D | MOSFET ( Transistor ) | Silan Microelectronics |
| SVD50N06M | MOSFET ( Transistor ) | Silan Microelectronics |
| SVD50N06MJ | MOSFET ( Transistor ) | Silan Microelectronics |
| SVD50N06T | MOSFET ( Transistor ) | Silan Microelectronics |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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