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SVF8N70F 데이터시트 PDF




Silan Microelectronics에서 제조한 전자 부품 SVF8N70F은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 SVF8N70F 자료 제공

부품번호 SVF8N70F 기능
기능 MOSFET ( Transistor )
제조업체 Silan Microelectronics
로고 Silan Microelectronics 로고


SVF8N70F 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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SVF8N70F 데이터시트, 핀배열, 회로
SVF8N70F_Datasheet
8A, 700V N-CHANNEL MOSFET
GENERAL DESCRIPTION
SVF8N70F is an N-channel enhancement mode power MOS
field effect transistor which is produced using Silan proprietary
F-CellTM structure VDMOS technology. The improved planar
stripe cell and the improved guard ring terminal have been
especially tailored to minimize on-state resistance, provide
superior switching performance, and withstand high energy
pulse in the avalanche and commutation mode.
These devices are widely used in AC-DC power suppliers, DC-
DC converters and H-bridge PWM motor drivers.
FEATURES
8A,700V,RDS(on)(typ)=0.95Ω@VGS=10V
Low gate charge
Low Crss
Fast switching
Improved dv/dt capability
NOMENCLATURE
ORDERING INFORMATION
Part No.
SVF8N70F
Package
TO-220F-3L
Marking
SVF8N70F
Material
Pb free
packing
Tube
HANGZHOU SILAN MICROELECTRONICS CO.,LTD
Http://www.silan.com.cn
REV:1.1
2011.09.09
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SVF8N70F pdf, 반도체, 판매, 대치품
SVF8N70F_Datasheet
TYPICAL CHARACTERISTICS(continued)
2500
2000
Figure 5. Capacitance Characteristics
Ciss=Cgs+Cgd(Cds=shorted)
Coss=Cds+Cgd
Crss=Cgd
1500
1000
500
Ciss
Coss
Crss
Notes:
1. VGS=0V
2. f=1MHz
0
0.1 1 10 100
Drain-Source Voltage – VDS(V)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
-100
Notes:
1. VGS=0V
2. ID=250µA
-50 0 50 100 150 200
Junction Temperature – TJ(°C)
Figure 9. Max. Safe Operating Area
102
Operation in This Area is
Limited by RDS(ON)
101 100µs
1ms
10ms
100 DC
10-1
10-2
100
Notes:
1.TC=25°C
2.Tj=150°C
3.Single Pulse
101 102
Drain Source Voltage - VDS(V)
103
Figure 6. Gate Charge Characteristics
12
VDS=560V
10 VDS=350V
VDS=140V
8
6
4
2
Note: ID=8.0A
0
0 5 10 15 20 25
Total Gate Charge – Qg(nC)
Figure 8. On-resistance Variation
3.0 vs. Temperature
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-100
Notes:
1. VGS=10V
2. ID=4.0A
-50 0 50 100 150 200
Junction Temperature – TJ(°C)
Figure 10. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
8
7
6
5
4
3
2
1
0
25 50 75 100 125 150
Case Temperature – TC(°C)
HANGZHOU SILAN MICROELECTRONICS CO.,LTD
Http://www.silan.com.cn
REV:1.1
2011.09.09
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4페이지










SVF8N70F 전자부품, 판매, 대치품
SVF8N70F_Datasheet
ATTACHMENT
Revision History
Date
2011.03.22
2011.09.09
REV
1.0
1.1
Description
Original
Modify “PACKAGE OUTLINE”
Page
HANGZHOU SILAN MICROELECTRONICS CO.,LTD
Http://www.silan.com.cn
REV:1.1
2011.09.09
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