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PDF EMB99A0G Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMB99A0G
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMB99A0G Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
2N & 2PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary:   
  NCH  PCH 
BVDSS 
RDSON (MAX.) 
100V  ‐100V 
250mΩ  300mΩ 
ID 
2.2A 
1.7A 
 
 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
VGS 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
390°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
2012/5/8 
ID 
IDM 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
 
 
EMB99A0G
LIMITS 
NCH 
PCH 
±20  ±20 
2.2  ‐1.7 
1.8  ‐1.4 
8.8  ‐6.8 
1.38 
0.75 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
W 
°C 
MAXIMUM 
36 
90 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMB99A0G pdf
 
NChannel 
 
 
5
OnRegion Characteristics
  VG  S = 10V
 4
8.0V 7.0V
 3
 
6.0V
 2
 1
5.0V
 
0
  01
2
345
VD S  ‐ DrainSource Voltage( V )
 
 
  OnResistance Variation with Temperature
1.9
I D  = 2.2A
  VG  S   = 10V
1.6
 
  1.3
 
1.0
 
  0.7
  0.4
50 25 0 25 50 75 100 125 150
  T J  ‐ Junction Temperature (°C)
 
  Transfer Characteristics
 6
VD  S = 10V
 5
 4
 3
T A  = ‐55°C
25°C
 
2
 
125°C
1
 
 0
23
45 6
VG  S ‐ GateSource Voltage( V )
 
 
 
 
2012/5/8 
  EMB99A0G
OnResistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
1.7
1.6
VG  S  = 5.0 V
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0
6.0 V
7.0 V
8.0 V
10 V
123
I D  ‐ Drain Current( A )
4
5
0.90
0.80
0.70
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
2
OnResistance Variation with GateSource Voltage
I D  = 1.1 A
TA   = 125°C
TA   = 25°C
46
8
VG  S ‐ GateSource Voltage( V )
10
Body Diode Forward Voltage Variation with
100 Source Current and Temperature
V G  S = 0V
10
1
0.1
T  A = 125°C 25°C
55°C
0.01
0.001
0
0.2 0.4
0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
VS  D ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
p.5 

5 Page










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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMB99A0GField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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