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부품번호 | EMB28C03G 기능 |
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기능 | Field Effect Transistor | ||
제조업체 | Excelliance MOS | ||
로고 | |||
N & P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary:
N‐CH P‐CH
BVDSS
RDSON (MAX.)
30V ‐30V
28mΩ 40mΩ
ID 7A ‐6A
Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
Gate‐Source Voltage
VGS
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TA = 25 °C
TA = 100 °C
Power Dissipation
TA = 25 °C
TA = 100 °C
Operating Junction & Storage Temperature Range
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
Junction‐to‐Case
RJC
Junction‐to‐Ambient3
RJA
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2Duty cycle 1%
362.5°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper.
2012/10/25
ID
IDM
PD
Tj, Tstg
TYPICAL
EMB28C03G
LIMITS
N‐CH
P‐CH
±20 ±20
7 ‐6
6 ‐5
28 ‐24
2
0.8
‐55 to 150
UNIT
V
A
W
°C
MAXIMUM
25
62.5
UNIT
°C / W
p.1
Ordering & Marking Information:
Device Name: EMB28C03G for SOP‐8
B28
C03
B28C03: Device Name
ABCDEFG
ABCDEFG: Date Code
Outline Drawing
F
I
G IH
DE
BC
A
J
K
Dimension in mm
Dimension A B C D E F G H I J K
Min.
4.70 3.70 5.80 0.33
1.20 0.08 0.40 0.19 0.25 0∘
Typ.
1.27
Max.
5.10 4.10 6.20 0.51
1.62 0.28 0.83 0.26 0.50 8∘
2012/10/25
EMB28C03G
p.4
4페이지 P‐Channel
On‐Region Characteristics
20
V G S = ‐ 10.0V
‐ 7.0V
16
12
‐ 6.0V
‐ 5.0V
8
4
‐4.5V
0
01 2
34 5
‐VD S ‐ Drain‐Source Voltage( V )
On‐Resistance Variation with Temperature
1.9
ID = ‐6 A
VG S = ‐10V
1.6
1.3
1.0
0.7
0.4
‐50 ‐25 0 25 50 75 100 125 150
T J ‐ Junction Temperature (°C)
Transfer Characteristics
12
VD S = ‐ 10V
TA = ‐55°C
10
8
6
4
25°C
125°C
2
0
23 4 56
‐VG S ‐ Gate‐Source Voltage( V )
2012/10/25
EMB28C03G
On‐Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
2.5
2
VG S = ‐ 4.5 V
1.5
1
‐ 5.0 V
‐ 6.0 V
‐ 7.0 V
‐ 10.0 V
0.5
0 4 8 12 16 20
‐ I D ‐ Drain Current( A )
0.2 On‐Resistance Variation with Gate‐Source Voltage
I D = ‐ 3A
0.15
0.1
0.05
0
2
T A = 125°C
T A = 25°C
468
‐ VG S ‐ Gate‐Source Voltage( V )
10
Body Diode Forward Voltage Variation
100 with Source Current and Temperature
10 VG S = 0V
1 T A = 125°C
0.1 25°C ‐55°C
0.01
0.001
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
‐VS D ‐ Body Diode Forward Voltage(V)
1.2 1.4
p.7
7페이지 | |||
구 성 | 총 8 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
EMB28C03G | Field Effect Transistor | Excelliance MOS |
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