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부품번호 | EMB37C06A 기능 |
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기능 | Field Effect Transistor | ||
제조업체 | Excelliance MOS | ||
로고 | |||
N & P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary:
BVDSS
RDSON (MAX.)
ID
N‐CH
60V
37mΩ
12A
P‐CH
‐60V
90mΩ
‐7A
D1
G1
S1
Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)
D2
G2
S2
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
Gate‐Source Voltage
VGS
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Power Dissipation
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Operating Junction & Storage Temperature Range
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
Junction‐to‐Case
RJC
Junction‐to‐Ambient
RJA
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2Duty cycle 1%
2012/7/24
ID
IDM
PD
Tj, Tstg
TYPICAL
EMB37C06A
LIMITS
N‐CH
P‐CH
±20 ±20
12 ‐7
8 ‐5
48 ‐28
21
13
‐55 to 150
UNIT
V
A
W
°C
MAXIMUM
6
42
UNIT
°C / W
p.1
Ordering & Marking Information:
Device Name: EMB37C06A for DPAK (TO‐252)
B37
C06 B37C06: Device Name
ABCDEFG ABCDEFG: Date Code
Outline Drawing
E
E2
B2
B1
PB
Dimension in mm
A
C
L3
A1
EMB37C06A
Dimension A A1 B B1 B2 C
D D2 D3 E E2 H
L L1 L2 L3 P
Min.
2.10 1.10 0.30 0.55 0.40 0.40 5.30 6.70 2.20 6.30 4.80 9.20 1.30 0.90 0.50 0.00 1.17
Max.
2.50 1.30 0.70 0.75 0.80 0.60 5.70 7.30 3.00 6.70 5.45 10.15 1.70 1.50 1.10 0.30 1.37
Footprint
1.27
2012/7/24
7.00
0.60
p.4
4페이지 P‐Channel
40
On‐Region Characteristics
V G S = ‐ 10.0V
32
‐ 8.0V
24
16
8
‐ 7.0V
‐ 6.0V
‐ 5.0V
0
0
24 68
‐VD S ‐ Drain‐Source Voltage( V )
10
1.9
On‐Resistance Variation with Temperature
ID = ‐7 A
VG S = ‐ 10V
1.6
1.3
1.0
0.7
0.4
‐50 ‐25 0 25 50 75 100 125 150
T J ‐ Junction Temperature (°C)
Transfer Characteristics
30
VD S = ‐ 10V
25
TA = ‐55°C
20
15
10
25°C
125°C
5
0
1.5 2.5 3.5 4.5 5.5
‐VG S ‐ Gate‐Source Voltage( V )
2012/7/24
EMB37C06A
On‐Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
2.5
2 VG S = ‐ 5.0 V
1.5
1
‐ 6.0 V ‐ 7.0 V
‐ 8.0 V
‐ 10.0 V
0.5
0 8 16 24 32 40
‐ I D ‐ Drain Current(A)
On‐Resistance Variation with Gate‐Source Voltage
0.40
I D = ‐ 3.5 A
0.30
0.20
0.10
0
2
T A = 125°C
T A = 25°C
468
‐ VG S ‐ Gate‐Source Voltage(V)
10
Body Diode Forward Voltage Variation
100 with Source Current and Temperature
VG S = 0V
10
1 T A = 125°C
0.1 25°C ‐55°C
0.01
0.001
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
‐VS D ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
p.7
7페이지 | |||
구 성 | 총 8 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
EMB37C06A | Field Effect Transistor | Excelliance MOS |
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