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EMB37C06A 데이터시트 PDF




Excelliance MOS에서 제조한 전자 부품 EMB37C06A은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 EMB37C06A 자료 제공

부품번호 EMB37C06A 기능
기능 Field Effect Transistor
제조업체 Excelliance MOS
로고 Excelliance MOS 로고


EMB37C06A 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 8 페이지수

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EMB37C06A 데이터시트, 핀배열, 회로
 
 
N & PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary:   
 
BVDSS 
RDSON (MAX.) 
ID 
NCH 
60V 
37mΩ 
12A 
PCH 
60V 
90mΩ 
7A 
D1
G1
S1
 
 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
D2
G2
S2
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
VGS 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
2012/7/24 
ID 
IDM 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
 
 
EMB37C06A
LIMITS 
NCH 
PCH 
±20  ±20 
12  ‐7 
8  ‐5 
48  ‐28 
21 
13 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
W 
°C 
MAXIMUM 
6 
42 
UNIT 
°C / W 
p.1 




EMB37C06A pdf, 반도체, 판매, 대치품
 
Ordering & Marking Information: 
Device Name: EMB37C06A for DPAK (TO252) 
 
 
    B37
C06  B37C06: Device Name 
  ABCDEFG ABCDEFG: Date Code 
 
 
 
Outline Drawing 
 
 
 E
E2
 
 
  B2
  B1
  PB
 
 
 
 
Dimension in mm 
 
A
C
L3
A1
EMB37C06A
Dimension  A  A1  B  B1  B2  C 
D  D2  D3  E  E2  H 
L  L1  L2  L3  P 
Min. 
2.10  1.10  0.30  0.55  0.40  0.40  5.30 6.70 2.20 6.30 4.80 9.20  1.30  0.90  0.50 0.00 1.17
Max. 
2.50  1.30  0.70  0.75  0.80  0.60  5.70 7.30 3.00 6.70 5.45 10.15 1.70  1.50  1.10 0.30 1.37
Footprint 
 
 
 
 
 
 
 
1.27
2012/7/24 
7.00
0.60
p.4 

4페이지










EMB37C06A 전자부품, 판매, 대치품
 
PChannel 
 
  40
OnRegion Characteristics
  V G S  = ‐ 10.0V
  32
‐ 8.0V
  24
 
16
 
 8
‐ 7.0V
‐ 6.0V
‐ 5.0V
 
0
 0
 
24 68
VD  S ‐ DrainSource Voltage( V )
10
 
1.9
OnResistance Variation with Temperature
  ID   = ‐7 A
  VG  S   = ‐ 10V
1.6
 
1.3
 
  1.0
 
0.7
 
  0.4
50 25 0 25 50 75 100 125 150
  T J  ‐ Junction Temperature (°C)
 
  Transfer Characteristics
30
  VD  S = ‐ 10V
  25
TA   = ‐55°C
  20
  15
 
10
 
25°C
125°C
 5
 0
1.5 2.5 3.5 4.5 5.5
  VG  S ‐ GateSource Voltage( V )
 
 
 
2012/7/24 
  EMB37C06A
OnResistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
2.5
2 VG  S  = ‐ 5.0 V
1.5
1
‐ 6.0 V ‐ 7.0 V
‐ 8.0 V
‐ 10.0 V
0.5
0 8 16 24 32 40
‐ I D  ‐ Drain Current(A)
OnResistance Variation with GateSource Voltage
0.40
I D  = ‐ 3.5 A
0.30
0.20
0.10
0
2
T A  = 125°C
T A  = 25°C
468
‐ VG  S ‐ GateSource Voltage(V)
10
Body Diode Forward Voltage Variation
100 with Source Current and Temperature
VG  S  = 0V
10
1 T A  = 125°C
0.1 25°C 55°C
0.01
0.001
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
VS D  ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
p.7 

7페이지


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