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PDF EMC13N08A Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMC13N08A
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMC13N08A Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
75V 
D
RDSON (MAX.) 
13mΩ 
ID  80A  G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.5mH, ID=40A, RG=25Ω 
L = 0.1mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
2012/12/11 
EMC13N08A
LIMITS 
±30 
80 
55 
200 
40 
400 
80 
192 
77 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
MAXIMUM 
0.65 
62.5 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMC13N08A pdf
 
  Gate Charge Characteristics
  10
I D  = 40A
 8
 
 6
VD  S  = 20V
40V
 4
 
 2
  EMC13N08A
4000
3000
Ciss
Capacitance Characteristics
f  =  1MHz
VG  S  = 0 V
2000
1000
Coss
 0
0
 
15 30 45
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
60
Crss
0
0 20 40 60
VD  S ‐ DrainSource Voltage( V )
80
  Maximum Safe Operating Area
  103
 
RDS(ON) Limited
  102
 
  101
10μs
100μs
1ms
10ms
DC
  100
    TC=25° C
  RθJC=0.65° C/W
  Vgs=10V
    Single Pulse
101
100
101
102
  VDS, DrainSource Voltage( V )
Single Pulse Maximum Power Dissipation
3000
SRθi n JC g =le 0 P.6u5ls° Ce/W
TC  = 25° C
2500
2000
1500
1000
500
0
0.01
0.1 1 10
Single Pulse Time( sec ) 
100
1000
 
  Transient Thermal Response Curve
  100
  D=0.5
  0.2
  0.1
101
  0.05
Note :
  1. RθJC(t)=0.65° C/W Max.
  2. Duty Cycle, D=t1/ t2
  3. TJM ‐ TC=PDM*RθJC(t)
  0.02
0.01
 
  102
single pulse
PDM
t  1
  t2
  105 104 103 102 101 100 101
  t1,Time( sec )
 
 
 
 
2012/12/11 
p.5 

5 Page










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PDF Descargar[ Datasheet EMC13N08A.PDF ]




Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMC13N08AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMC13N08EField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMC13N08FField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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