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EMC13N08A PDF 데이터시트 : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 EMC13N08A
기능 Field Effect Transistor
제조업체 Excelliance MOS
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EMC13N08A 데이터시트, 핀배열, 회로
 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
75V 
D
RDSON (MAX.) 
13mΩ 
ID  80A  G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.5mH, ID=40A, RG=25Ω 
L = 0.1mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
2012/12/11 
EMC13N08A
LIMITS 
±30 
80 
55 
200 
40 
400 
80 
192 
77 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
MAXIMUM 
0.65 
62.5 
UNIT 
°C / W 
p.1 




EMC13N08A pdf, 반도체, 판매, 대치품
 
TYPICAL CHARACTERISTICS 
  OnRegion Characteristics
100
  VG  S = 10V
  80
8.0V 7.0V
 
60
 
  40
6.0V
  20
 
 0
01
2
34
VD S  ‐ Drain Source Voltage( V )
 
 
OnResistance Variation with Temperature
  1.9
I D  = 30A
  VG  S   = 10V
1.6
 
  1.3
 
1.0
 
  0.7
  0.4
  50 25 0 25 50 75 100 125
T J  ‐ Junction Temperature (° C)
 
  60
Transfer Characteristics
  VD  S = 10V
50
 
  40
TA   = ‐55°C
  30
  20
25°C
125°C
  10
 0
 2
3 45
VG S  ‐ GateSource Voltage( V )
 
 
 
 
 
5
150
6
2012/12/11 
  EMC13N08A
OnResistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0
VG  S  = 6.0 V
7.0 V
8.0 V
10 V
20 40 60
I D  ‐ Drain Current( A )
80
100
0.045
0.040
0.035
OnResistance Variation with GateSource Voltage
I D  = 15 A
0.030
0.025
0.020
0.015
0.010
0.005
2
46
VG  S ‐ GateSource Voltage( V )
TA   = 125°C
TA   = 25°C
8 10
Body Diode Forward Voltage Variation with 
Source Current and Temperature
100
V G  S = 0V
10 T  A = 125° C
1 25° C
0.1 55° C
0.01
0.001
0
0.2 0.4
0.6 0.8 1.0 1.2
1.4
VS  D ‐ Body Diode Forward Voltage(V)
p.4 

4페이지













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