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PDF EMBE0N15A Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMBE0N15A
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMBE0N15A Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
150V 
D
RDSON (MAX.) 
500mΩ 
ID  3A 
G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=2A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
2012/6/12 
EMBE0N15A
LIMITS 
±20 
3 
2 
12 
2 
0.2 
0.1 
25 
10 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
MAXIMUM 
5 
62.5 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMBE0N15A pdf
  EMBE0N15A
 
 
 
 
10
Gate Charge Characteristics
  I D  = 1.5A
 8
 
6
 
VD  S  = 50V 80V
 4
 
2
 
 0
0
 
5 10 15
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
20
1000
900
800
Capacitance Characteristics
f  =  1M Hz
V  G S  = 0 V
700
Ciss
600
500
400
300
200
Coss
100
0 Crss
0
20 40 60 80
VD  S ‐ D rainSource Voltage( V )
100
 
  100
M a xim um  S afe  O p era tin g A rea
 
  10
  1 R  D S  (O  N  )Limit
 
 
0.1
10uS
100uS
1mS
10mS
DC100mS
  VG  S = 10V
Single Pulse
R  JA = 62.5°C/W
  TA   = 25°C
0.01
0.1 1 10 100 1000
  VD  S  ‐ DrainSource Voltage( V )
Single Pulse Maximum Power Dissipation
50
Single Pulse
Rθ  J A = 62.5°C/W
40 TA  = 25°C
30
20
10
0
0.001
0.01 0.1 1 10
t 1 ,Time ( sec )
100 1000
 
 1
  Duty Cycle = 0.5
Transient Thermal Response Curve
  0.2
0.1
  0.1
0.05
  0.02
0.01
  0.01
Single Pulse
 
  0.001
  10 4
 
10 3
10 2
10 1
1
t 1 ,Time (sec)
Notes:
P DM
t1
1.Duty Cycle,D =t2 t1
t2
2.Rθ  J  A = 62.5°C/W
3.TJ  ‐  TA   = P * Rθ  J A  (t)
4.Rθ  J A (t)=r(t) + RθJA
10 100
1000
 
 
 
2012/6/12 
p.5 

5 Page










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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMBE0N15AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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