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PDF EMB37N06A Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMB37N06A
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMB37N06A Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
60V 
D
RDSON (MAX.) 
37mΩ 
ID  20A  G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=15A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
2012/7/24 
EMB37N06A
LIMITS 
±20 
20 
12 
80 
15 
11.25 
5.6 
33 
13 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
MAXIMUM 
3.7 
80 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMB37N06A pdf
  EMB37N06A
 
 
 
Gate Charge Characteristics
  10
I D  = 15A
 8
 
V D S   = 15V 30V
 6
 4
 
 2
 0
05
10 15 20 25 30 35
  Q g  ‐ Gate Charge( nC )
1500
1350
1200
1050
Ciss
900
750
600
450
300
150
0
0
Coss
Crss
10
Capacitance Characteristics
f  =  1MHz
V G S  = 0 V
20 30 40 50
VD  S ‐ DrainSource Voltage( V )
60
 
  300
MAXIMUM SAFE OPERATING AREA
100
   50 R d s (o  n ) Limit
10μ  s
 
10
 
100μ  s
1ms
 
 1
VG  S = 10V
RSIθ N J C G= L3E. 7P° UC/LWSE
Tc = 25 °C
10ms
1D0C0ms
0.3
  0.5 1
10
VD S  ,DRAIN‐ SOURCE VOLTAGE( V )
100
 
Single Pulse Maximum Power Dissipation
50
Single Pulse
Rθ  J C = 3.7°C/W
40 TC  = 25°C
30
20
10
0
0.001
0.01 0.1 1 10
t 1 ,Time (sec)
100 1000
 1
Transient Thermal Response Curve
  Duty Cycle = 0.5
0.5
 
0.3
  0.2 0.2
  0.1 0.1
  0.05
  0.05
0.02
  0.03
0.01
0.02
  Single Pulse
0.01
  102
101
1
Notes:
DM
1.Duty Cycle,D =
t1
t2
2.Rθ  J C  =3.7°C/W
3.TJ  ‐  TC   = P * R θ J C  (t)
4.Rθ  J C (t)=r(t) * RθJC
10 100
  t 1 ,Time ( mSEC )
1000
 
 
 
 
2012/7/24 
p.5 

5 Page










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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMB37N06AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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