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PDF EMB06N03A Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMB06N03A
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMB06N03A Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
D
RDSON (MAX.) 
6mΩ 
ID  80A  G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMB06N03A
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
VGS  ±20 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
ID 
IDM 
80 
50 
170 
Avalanche Current 
IAS  53 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=53A, RG=25Ω
L = 0.05mH 
EAS 
EAR 
140 
40 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
PD 
Tj, Tstg 
69 
27 
55 to 150 
100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=40A, Rated VDS=25V NCH
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
UNIT 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
1.8 
°C / W 
75 
2012/3/9 
p.1 

1 page




EMB06N03A pdf
 
 
  EMB06N03A
  G A T E C H A R G E C H A R A C T E R IS T IC S
12
ID = 3 0 A
 
  10
 8
 
6
 
VDS =5V
15V
10V
10 4
10 3
C a p a cita n ce  C h a ra cte ristic s
C iss
C o ss
C rss
 4
10 2
 
2
 
 0
0
15 30
45
Q g ,G A T E C H A R G E (n C )
 
f =  1  M H z
V GS= 0  V
0 5 10 15 20 25
V DS ‐D ra in S o u rce  V o lta g e ( V  )
30
  300
200
 
100
  50
  20
  10
 5
R d s ( o n ) Limit
MAXIMUM SAFE OPERATING AREA
10μ  s
100μ  s
1ms
10ms
100ms
DC
 2
 1
VG  S = 10V
SINGLE PULSE
Rθ  J C = 1.8° C/W
Tc = 25 °C
  0.5
0.5 1
23
5 10
VD  S ,DRAIN‐ SOURCE VOLTAGE( V )
 
20 30 50
 1
  Duty Cycle = 0.5
0.5
 
0.3
  0.2 0.2
Transient Thermal Response Curve
  0.1 0.1
  0.05
0.05
  0.02
0.03
  0.01
0.02
Single Pulse
  0.01
102 101
 
 
Notes:
DM
1.Duty Cycle,D =
t1
t2
2.Rθ  J C  =1.8°C/W
3.TJ  ‐  TC   = P * R θ J C  (t)
4.Rθ  J C (t)=r(t) * RθJC
1 10 100
t 1 ,Time (sec)
 
 
 
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
0.01
SINGLE PULSE MAXIMUM POWER DISSIPATION
SRθI N JC  G= L1E. 8P° UC/LWSE
TC  = 25° C
0.1 1
10 100
SINGLE PULSE TIME (SEC) 
1000
1000
2012/3/9 
p.5 

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMB06N03AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB06N03EField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB06N03GField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB06N03GHField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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