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EMD05N50CS 데이터시트 PDF




Excelliance MOS에서 제조한 전자 부품 EMD05N50CS은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 EMD05N50CS 자료 제공

부품번호 EMD05N50CS 기능
기능 Field Effect Transistor
제조업체 Excelliance MOS
로고 Excelliance MOS 로고


EMD05N50CS 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 5 페이지수

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EMD05N50CS 데이터시트, 핀배열, 회로
 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
500V 
D
RDSON (MAX.) 
1.85Ω 
ID  5A 
G
 
UIS, 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 3mH, ID=5A, RG=25Ω 
L = 0.5mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
EMD05N50CS
LIMITS 
±30 
5 
3 
20 
5 
37.5 
6.25 
48 
19 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
2013/12/17 
TYPICAL 
 
 
MAXIMUM 
2.6 
62.5 
UNIT 
°C / W 
p.1 




EMD05N50CS pdf, 반도체, 판매, 대치품
 
 
TYPICAL CHARACTERISTICS 
 
  Typical Output Characteristics
15
 
  12
 
9
  Vgs=20V
10V
 6
8V
7.5V
 
3
 
7V
 0
0
10 20
30
40 50
60
VD S  ,DrainSource Voltage( V )
 
 
 
OnResistance Variation with Temperature
1.8
  1.6
 
1.4
 
  1.2
  1.0
  0.8
 
0.6
  50 25
0 25 50 75 100 125 150
T j ,Junction Temperature(°C )
 
 
Transfer Characteristics
  15
V D S = 10V
 
12
 
T A  = ‐55 °C
25 °C
125 °C
 9
 6
 
3
 
 0
234
5 67
  VG S  ,GateSource Voltage( V )
 
 
2013/12/17 
  EMD05N50CS
60
50
40
30
20
10
0
0
A llo w a b le  P o w e r D issip a tio n
25 50
75 100 125
Tc , C a s e   T e m p e r a t u r e (  ° C   )
150
Gate Threshold Voltage v.s. Temperature
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
50 25
0 25 50 75 100 125 150
Tj ,Junction Temperature(°C )
Body Diode Forward Voltage Variation 
with Source Current and Temperature
100
VG S   = 0V
10 T A  = 125° C
1 25° C
0.1 55° C
0.01
0.001
0
0.2 0.4
0.6 0.8 1.0
VS D  ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
1.2
1.4
p.4 

4페이지












구       성 총 5 페이지수
다운로드[ EMD05N50CS.PDF 데이터시트 ]

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