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부품번호 | EMD05N50CS 기능 |
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기능 | Field Effect Transistor | ||
제조업체 | Excelliance MOS | ||
로고 | |||
N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary:
BVDSS
500V
D
RDSON (MAX.)
1.85Ω
ID 5A
G
UIS, 100% Tested
S
Pb‐Free Lead Plating
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
Gate‐Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Avalanche Current
Avalanche Energy
Repetitive Avalanche Energy2
L = 3mH, ID=5A, RG=25Ω
L = 0.5mH
Power Dissipation
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Operating Junction & Storage Temperature Range
VGS
ID
IDM
IAS
EAS
EAR
PD
Tj, Tstg
EMD05N50CS
LIMITS
±30
5
3
20
5
37.5
6.25
48
19
‐55 to 150
UNIT
V
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
Junction‐to‐Case
RJC
Junction‐to‐Ambient
RJA
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2Duty cycle 1%
2013/12/17
TYPICAL
MAXIMUM
2.6
62.5
UNIT
°C / W
p.1
TYPICAL CHARACTERISTICS
Typical Output Characteristics
15
12
9
Vgs=20V
10V
6
8V
7.5V
3
7V
0
0
10 20
30
40 50
60
VD S ,Drain‐Source Voltage( V )
On‐Resistance Variation with Temperature
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
‐50 ‐25
0 25 50 75 100 125 150
T j ,Junction Temperature(°C )
Transfer Characteristics
15
V D S = 10V
12
T A = ‐55 °C
25 °C
125 °C
9
6
3
0
234
5 67
VG S ,Gate‐Source Voltage( V )
2013/12/17
EMD05N50CS
60
50
40
30
20
10
0
0
A llo w a b le P o w e r D issip a tio n
25 50
75 100 125
Tc , C a s e T e m p e r a t u r e ( ° C )
150
Gate Threshold Voltage v.s. Temperature
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
‐50 ‐25
0 25 50 75 100 125 150
Tj ,Junction Temperature(°C )
Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature
100
VG S = 0V
10 T A = 125° C
1 25° C
0.1 ‐55° C
0.01
0.001
0
0.2 0.4
0.6 0.8 1.0
VS D ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
1.2
1.4
p.4
4페이지 | |||
구 성 | 총 5 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
EMD05N50CS | Field Effect Transistor | Excelliance MOS |
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