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EMBJ7N25CS PDF 데이터시트 : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 EMBJ7N25CS
기능 Field Effect Transistor
제조업체 Excelliance MOS
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EMBJ7N25CS 데이터시트, 핀배열, 회로
 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
250V 
D
RDSON (MAX.) 
1.7Ω 
ID  3.0A 
 
UIS, Rg 100% Tested 
G
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 3mH, ID=1A, RG=25Ω 
L = 1mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
2012/8/6 
EMBJ7N25CS
LIMITS 
±20 
3.0 
1.9 
12 
1 
1.5 
0.5 
30 
13 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
MAXIMUM 
4.2 
62.5 
UNIT 
°C / W 
p.1 




EMBJ7N25CS pdf, 반도체, 판매, 대치품
 
TYPICAL CHARACTERISTICS 
 
  100
O n R e g io n  C h a ra cte ristics
 
  10
 
1
 
V G   S  =   1 0 V
8.0 V
7 .0 V
6 .0 V
  0.1
 
5 .0 V
 
0 .1 1
10 100
  VD S    ‐  D r a in   S o u r c e   V o l t a g e (   V   )
 
OnResistance Variation with Temperature
  1.9
I D  = 1.5A
  VG  S   = 10V
1.6
 
  1.3
  1.0
 
  0.7
  0.4
50 25
0 25
50 75 100 125 150
  T J  ‐ Junction Temperature (°C)
 
 6
Transfer Characteristics
VD  S = 10V
 5
 4
 
3
 
 2
T A  = ‐55°C
25°C
125°C
 1
 0
23
45
6
  VG  S ‐ GateSource Voltage( V )
 
 
 
 
 
2012/8/6 
EMBJ7N25CS
 
OnResistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
2.4
2.2
VG  S  = 5.0 V
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0
6.0 V
7.0 V
8.0 V
10 V
246
I D  ‐ Drain Current( A )
8
10
OnResistance Variation with GateSource Voltage
4.50
4.00 I D  = 0.75 A
3.50
3.00
2.50
2.00
1.50
1.00
0.50
2
TA   = 125°C
TA   = 25°C
46
8
VG  S ‐ GateSource Voltage( V )
10
Body Diode Forward Voltage Variation
100 with Source Current and Temperature
V G  S = 0V
10
1 TA   = 125°C 25°C 55°C
0.1
0.01
0.001
0
0.2 0.4
0.6 0.8 1.0 1.2
VS  D ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
1.4
p.4 

4페이지













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