DataSheet.es    


PDF EMBJ0N25CS Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMBJ0N25CS
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



Hay una vista previa y un enlace de descarga de EMBJ0N25CS (archivo pdf) en la parte inferior de esta página.


Total 5 Páginas

No Preview Available ! EMBJ0N25CS Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
250V 
D
RDSON (MAX.) 
1Ω 
ID  4.4A  G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 3mH, ID=1A, RG=25Ω 
L = 1mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
2012/8/6 
EMBJ0N25CS
LIMITS 
±20 
4.4 
2.6 
17.6 
1 
1.5 
0.5 
29 
11 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
MAXIMUM 
4.2 
62.5 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMBJ0N25CS pdf
 
  Gate Charge Characteristics
  10
I D  = 2.2A
 8
 
 6
VD  S   = 100V 200V
 4
 
  EMBJ0N25CS
1500
1350
1200
1050
900
750
600
450
Capacitance Characteristics
f  =  1M Hz
Ciss V  G S  = 0 V
 2
 0
 0
10 20 30
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
 
  100
M a x im u m  S a fe  O p e ra tin g  A re a
 
  1 0 R   D S  (O  N  )L im it
 
1
 
10uS
100uS
1mS
100
DC
10
mS
m
S
 
0 .1
      V G   S  =   1 0 V
S in g le  P u lse
  0 .0 1
R   JC  =   4 . 2 ° C / W
    T C      =   2 5 ° C
1 10 100
  V D   S    ‐   D r a i n S o u r c e   V o l t a g e (   V   )
40
1000
300 Coss
150
0 Crss
0
20 40 60 80
VD  S ‐ D rainSource Voltage( V  )
100
Single Pulse Maximum Power Dissipation
3000 SRθi n JC g =le 4 P.2u Cl°s/eW
TC  = 25° C
2500
2000
1500
1000
500
0 0.01
0.1 1 10
Single Pulse Time( sec ) 
100
1000
  Transient Thermal Response Curve
 
  100
D=0.5
 
  0.2
  101 0.1
0.05
  0.02
  0.01
single pulse
  102
Note :
  1. RθJC(t)=4.2°C/W Max.
  2. Duty Cycle, D=t1/ t2
  3. TJM ‐ TC=PDM*RθJC(t)
PDM
t1
t2
  105 104 103 102 101 100 101
  t1,Time( sec )
 
 
 
 
 
2012/8/6 
p.5 

5 Page










PáginasTotal 5 Páginas
PDF Descargar[ Datasheet EMBJ0N25CS.PDF ]




Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMBJ0N25CSField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares,
permitiéndote verlos en linea o descargarlos en PDF.


DataSheet.es    |   2020   |  Privacy Policy  |  Contacto  |  Buscar