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부품번호 | EMD06N80F 기능 |
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기능 | Field Effect Transistor | ||
제조업체 | Excelliance MOS | ||
로고 | |||
N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary:
BVDSS
800V
D
RDSON (MAX.)
1.65Ω
ID 6A
G
UIS, 100% Tested
S
Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
Gate‐Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Avalanche Current
Avalanche Energy
Repetitive Avalanche Energy2
L = 3mH, ID=6A, RG=25Ω
L = 0.5mH
Power Dissipation
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Operating Junction & Storage Temperature Range
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
VGS
ID
IDM
IAS
EAS
EAR
PD
Tj, Tstg
TYPICAL
Junction‐to‐Case
RJC
Junction‐to‐Ambient
RJA
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2Duty cycle 1%
2013/12/20
EMD06N80F
LIMITS
±30
6
3.7
24
6
54
9
48
19
‐55 to 150
UNIT
V
A
mJ
W
°C
MAXIMUM
2.6
60
UNIT
°C / W
p.1
EMD06N80F
TYPICAL CHARACTERISTICS
10
Typical Output Characteristics
A llo w a b le P o w e r D issip a tio n
60
8
50
6
Vgs=20V
10V
4
8V
7.5V
2
7V
40
30
20
10
0
0
5 10 15 20 25
30
0
0 25 50 75 100 125 150
VD S ,Drain‐Source Voltage( V )
Tc , C a s e T e m p e r a t u r e ( ° C )
On‐Resistance Variation with Temperature
1.8
Gate Threshold Voltage v.s. Temperature
6.0
1.6
1.4
1.2
5.0
4.0
3.0
1.0
2.0
0.8
1.0
0.6 0
‐50 ‐25
0 25 50 75 100 125
Tj ,Junction Temperature(°C )
150
‐50 ‐25
0 25 50 75 100 125
Tj ,Junction Temperature(°C )
150
10
V D S = 10V
8
6
T A = ‐55 ° C
25 ° C
125 ° C
Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature
100
VG S = 0V
10 T A = 125° C
1 25° C
4
2
0.1 ‐55° C
0.01
0
2
34
56
VG S ,Gate‐Source Voltage( V )
7
0.001
0
0.2 0.4
0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
VS D ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
2013/12/20
p.4
4페이지 | |||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
EMD06N80F | Field Effect Transistor | Excelliance MOS |
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