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PDF EMDB0N25F Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMDB0N25F
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMDB0N25F Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
250V 
D
RDSON (MAX.) 
0.22Ω 
ID  18A  G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 1mH, ID=10A, RG=25Ω 
L = 0.5mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
2013/12/20 
EMDB0N25F
LIMITS 
±30 
18 
8 
45 
10 
50 
25 
38 
15 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
MAXIMUM 
3.3 
65 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMDB0N25F pdf
  EMDB0N25F
 
 
 
Gate Charge Characteristics
  10
I D  = 9A
 
8
 
VD  S = 100V
 6
200V
 
4
 
 2
 0
 0
15 30 45
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
 
  100
M a x im u m  S a fe  O p e ra tin g  A re a
  1 0 R   D  S ( O  N )Lim it
 
10uS
100uS
1mS
 
1
 
D
1
C
0
10m
0mS
S
  0 .1
      V G   S =   1 0 V
S in g le  P u lse
R   JC  =   3 . 3 ° C / W
  0 .0 1
    T C      =   2 5 ° C
1 10 100
  V D   S    ‐   D r a i n S o u r c e   V o l t a g e (   V   )
60
1000
5000
Capacitance Characteristics
4500
4000
3500
Ciss
f  =  1M Hz
V  G S  = 0 V
3000
2500
2000
1500
1000 Coss
500
0 Crss
0
20 40 60 80
VD  S ‐ D rainSource Voltage( V  )
100
Single Pulse Maximum Power Dissipation
3000 RSθi n JC g =le 3 P.3u Cl°s/eW
TC  = 25° C
2500
2000
1500
1000
500
0
0.01
0.1 1 10 100
Single Pulse Time( sec ) 
1000
  Transient Thermal Response Curve
  100
  D=0.5
  0.2
  101 0.1
0.05
Note :
  1. RθJC(t)=3.3°C/W Max.
  2. Duty Cycle, D=t1/ t2
  3. TJM ‐ TC=PDM*RθJC(t)
  0.02
0.01
  102
single pulse
PDM
t1
t2
 
105 104 103 102 101 100 101
  t1,Time( sec )
 
 
 
 
 
 
2013/12/20 
p.5 

5 Page










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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMDB0N25AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMDB0N25FField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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