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EMD50N15F 데이터시트 PDF




Excelliance MOS에서 제조한 전자 부품 EMD50N15F은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 EMD50N15F 자료 제공

부품번호 EMD50N15F 기능
기능 Field Effect Transistor
제조업체 Excelliance MOS
로고 Excelliance MOS 로고


EMD50N15F 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 5 페이지수

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EMD50N15F 데이터시트, 핀배열, 회로
 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
150V 
D
RDSON (MAX.) 
50mΩ 
ID  22A  G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
DrainSource Voltage 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.2mH, ID=18A, RG=25Ω 
L = 0.1mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VDSS 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
2013/12/20 
EMD50N15F
LIMITS 
150 
±30 
22 
13 
88 
18 
32.4 
16.2 
35 
14 
55 to 150 
UNIT 
V 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
MAXIMUM 
3.5 
62.5 
UNIT 
°C / W 
p.1 




EMD50N15F pdf, 반도체, 판매, 대치품
 
TYPICAL CHARACTERISTICS 
 
  100
VG  S = 10V
OnRegion Characteristics
  80
8.0V 7.0V
 
60
 
  40
  20
 
 0
0 5 10 15 20 25
VD S  ‐ Drain Source Voltage( V )
 
 
OnResistance Variation with Temperature
  1.9
I D  = 20A
  VG  S   = 10V
1.6
 
  1.3
 
1.0
 
  0.7
  0.4
50 25
0 25
50 75 100 125 150
  T J  ‐ Junction Temperature (° C)
 
  60
Transfer Characteristics
  VD  S = 10V
50
 
40
 
T A  = ‐55° C
25° C
  30
  20
125° C
  10
 0
  23
45
VG  S ‐ GateSource Voltage( V )
 
6
 
 
 
 
2013/12/20 
  EMD50N15F
OnResistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4 VG  S  = 7.0 V
1.2
1.0
8.0 V
10 V
0.8
0
20 40 60
I D  ‐ Drain Current( A )
80
100
0.090
0.080
0.070
OnResistance Variation with GateSource Voltage
I D  = 20 A
0.060
0.050
0.040
0.030
0.020
0.010
4
TA   = 125°C
TA   = 25°C
68
VG  S ‐ GateSource Voltage( V )
10
Body Diode Forward Voltage Variation with 
100 Source Current and Temperature
V G  S = 0V
10 T  A = 125° C
1 25° C
0.1 55° C
0.01
0.001
0
0.2 0.4
0.6 0.8 1.0 1.2
1.4
VS  D ‐ Body Diode Forward Voltage(V)
p.4 

4페이지












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다운로드[ EMD50N15F.PDF 데이터시트 ]

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