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PDF EMDE0N20E Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMDE0N20E
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMDE0N20E Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
200V 
D
RDSON (MAX.) 
0.5Ω 
ID  7A 
 
UIS, Rg 100% Tested 
G
S
PbFree Lead Plating 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 1mH, ID=1.5A, RG=25Ω 
L = 0.5mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
2012/2/2 
EMDE0N20E
LIMITS 
±30 
7 
5 
28 
1.5 
1.12 
0.56 
50 
20 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
MAXIMUM 
2.5 
62.5 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMDE0N20E pdf
EMDE0N20E
 
 
 
  10
Gate Charge Characteristics
  I D  = 2.5A
 8
 6
VD  S   = 50V
100V
 
4
 
 2
 
0
 0
 
100
 
5 10 15 20
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
M axim u m  Safe O p eratin g A rea
25
 
  10 R D  S (O  N )Limit
 
100μs
1ms
10ms
100ms
 
1
1s
DC
 
  VG  S = 10V
    Single Pulse
  R  JC  = 2.5°C/W
  0.1   TC   = 25°C
1
10
100 1000
VD  S  ‐ D r a in S o u rc e  V o lt a g e ( V  )
 
1200
900
Ciss
600
Capacitance Characteristics
f  =  1MHz
VG  S  = 0 V
300
Coss
Crss
0
0
50 100 150
VD  S ‐ DrainSource Voltage( V )
Single Pulse Maximum Power Dissipation
100
Single Pulse
Rθ  J C= 2.5°C/W
80 TC  = 25°C
200
60
40
20
0
0.001
0.01 0.1 1 10
t 1 ,Time ( sec )
100 1000
  Transient Thermal Response Curve
  100
  D=0.5
 
0.2
  0.1
  101
0.05
  0.02
  0.01
  102
single pulse
Note :
  1. RθJC(t)=2.5°C/W Max.
  2. Duty Cycle, D=t1/ t2
  3. TJM ‐ TC=PDM*RθJC(t)
PDM
t1
t2
 
  105 104 103 102 101 100 101
t1,Time( sec )
 
 
 
 
 
2012/2/2 
p.5 

5 Page










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PDF Descargar[ Datasheet EMDE0N20E.PDF ]




Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMDE0N20AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMDE0N20CField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMDE0N20CSField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMDE0N20EField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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