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EMBJ7N25J PDF 데이터시트 : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 EMBJ7N25J
기능 Field Effect Transistor
제조업체 Excelliance MOS
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EMBJ7N25J 데이터시트, 핀배열, 회로
 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
250V 
D
RDSON (MAX.) 
1.7Ω 
ID  0.4A  G
 
Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
Junctionto‐ Ambient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
 
 
 
 
VGS 
ID 
IDM 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
 
2012/8/6 
EMBJ7N25J
LIMITS 
±20 
0.4 
0.25 
1.6 
1.25 
0.8 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
W 
°C 
MAXIMUM 
100 
UNIT 
°C / W 
p.1 




EMBJ7N25J pdf, 반도체, 판매, 대치품
  EMBJ7N25J
 
 
  10
Gate Charge Characteristics
  I D  = 0.2A
 8
 6
VD  S   = 62V 125V
 
4
 
 2
 
0
 0
5 10 15
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
 
  10
M a xim u m  S a fe  O p e ra tin g  A re a
   1 R   D S  (O  N  )L im it
 
0 .1
 
10uS
100uS
1mS
D
100m
C
1
S
0
m
S
 
0 .1 0
      V G   S  =  1 0 V
S in g le  P u lse
  0.001
R   JA    =   1 6 6 ° C / W
    T A      =   2 5 ° C
1 10 100
  V D   S    ‐   D r a i n S o u r c e  V o l t a g e (   V  )
20
1000
1000
900
800
Capacitance Characteristics
f  =  1M Hz
V  G S  =  0  V
700 Ciss
600
500
400
300
200
100 Coss
0 Crss
0 20 40 60 80
VD  S ‐ D ra in S o u rc e  V o lta g e ( V  )
100
Single Pulse Maximum Power Dissipation
5
SINGLE PULSE
VGS= 10V
4
RθJA=166°C/W
TA=25°C
3
2
1
0
0.1 1 10 100 1000
Single Pulse Time( sec )
 
 
1
  D=0.5
0.5
 
0.2
  0.2
0.1
  0.1
0.05
  0.05 0.02
0.01
  0.02
Single Pulse
Transient Thermal Response Curve
RθJA(t) = r(t) * RθJA
RθJA=166°C/W
t1
t2
TJTA=P*RθJA(t)
Duty Cycle, D= t1/ t2
  0.01
0.0001
 
0.001
0.01 0.1
1
t1, Time( sec )
10 100 300
 
 
 
 
 
 
2012/8/6 
p.4 

4페이지













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