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부품번호 | EMBB0N10J 기능 |
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기능 | Field Effect Transistor | ||
제조업체 | Excelliance MOS | ||
로고 | |||
N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary:
BVDSS
100V
D
RDSON (MAX.)
220mΩ
ID 1.4A G
UIS 100% Tested
S
Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
Gate‐Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TA = 25 °C
TA = 100 °C
Power Dissipation
TA = 25 °C
TA = 100 °C
Operating Junction & Storage Temperature Range
VGS
ID
IDM
PD
Tj, Tstg
EMBB0N10J
LIMITS
±20
1.4
0.85
5.6
1.25
0.8
‐55 to 150
UNIT
V
A
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
Junction‐to‐ Ambient
RJA
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2Duty cycle 1%
2013/8/30
TYPICAL
MAXIMUM
100
UNIT
°C / W
p.1
10
Gate Charge Characteristics
I D = 1.4A
8
6
4
VD S = 50V 80V
2
0
0
6 12 18
Q g ‐ Gate Charge( nC )
24
100
M axim u m Safe O p e ratin g A re a
10
R D S (O N )Limit
1
0.1
10uS
100uS
1mS
D1C00m10SmS
VG S = 10V
Single Pulse
R JA = 1 6 6 ° C / W
TA = 25°C
0.010.1 1 10 100
VD S ‐ Drain‐Source Voltage( V )
1000
1
0.5 D=0.5
0.2
0.2
0.1
0.1
0.05
0.05 0.02
0.01
0.02
Single Pulse
Transient Thermal Response Curve
0.01
0.0001
0.001
0.01 0.1
1
t1, Time( sec )
2013/8/30
EMBB0N10J
1000
900
800
Capacitance Characteristics
f = 1M Hz
Ciss V G S = 0 V
700
600
500
400
300
200
100
0
0
Coss
Crss
20 40 60 80
VD S ‐ D rain‐Source Voltage( V )
100
Single Pulse Maximum Power Dissipation
5
SINGLE PULSE
VGS= 10V
4
RθJA=166°C/W
TA=25°C
3
2
1
0
0.1 1 10 100 1000
Single Pulse Time( sec )
RθJA(t) = r(t) * RθJA
RθJA=166°C/W
t1
t2
TJ‐TA=P*RθJA(t)
Duty Cycle, D= t1/ t2
10 100 300
p.4
4페이지 | |||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
EMBB0N10A | Field Effect Transistor | Excelliance MOS |
EMBB0N10J | Field Effect Transistor | Excelliance MOS |
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