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EMBB0N10J 데이터시트 PDF




Excelliance MOS에서 제조한 전자 부품 EMBB0N10J은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 EMBB0N10J 자료 제공

부품번호 EMBB0N10J 기능
기능 Field Effect Transistor
제조업체 Excelliance MOS
로고 Excelliance MOS 로고


EMBB0N10J 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 5 페이지수

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EMBB0N10J 데이터시트, 핀배열, 회로
 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
100V 
D
RDSON (MAX.) 
220mΩ 
ID  1.4A  G
 
UIS 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
PD 
Tj, Tstg 
EMBB0N10J
LIMITS 
±20 
1.4 
0.85 
5.6 
1.25 
0.8 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
W 
°C 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
Junctionto‐ Ambient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
 
 
 
 
2013/8/30 
TYPICAL 
 
MAXIMUM 
100 
UNIT 
°C / W 
p.1 




EMBB0N10J pdf, 반도체, 판매, 대치품
 
 
 
10
Gate Charge Characteristics
  I D  = 1.4A
 8
 
6
 
 4
VD  S   = 50V 80V
 2
 
 
0
0
 
6 12 18
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
24
 
  100
M axim u m  Safe  O p e ratin g A re a
 
10
   R  D S  (O  N  )Limit
1
 
  0.1
10uS
100uS
1mS
D1C00m10SmS
  VG  S = 10V
Single Pulse
R   JA =  1 6 6 ° C / W
  TA   = 25°C
0.010.1 1 10 100
  VD  S  ‐ DrainSource Voltage( V )
1000
 
 1
  0.5 D=0.5
  0.2
0.2
0.1
  0.1
0.05
  0.05 0.02
0.01
  0.02
Single Pulse
Transient Thermal Response Curve
  0.01
0.0001
 
0.001
0.01 0.1
1
t1, Time( sec )
 
 
 
 
 
 
2013/8/30 
  EMBB0N10J
1000
900
800
Capacitance Characteristics
f  =  1M Hz
Ciss V  G S  = 0 V
700
600
500
400
300
200
100
0
0
Coss
Crss
20 40 60 80
VD  S ‐ D rainSource Voltage( V )
100
Single Pulse Maximum Power Dissipation
5
SINGLE PULSE
VGS= 10V
4
RθJA=166°C/W
TA=25°C
3
2
1
0
0.1 1 10 100 1000
Single Pulse Time( sec )
RθJA(t) = r(t) * RθJA
RθJA=166°C/W
t1
t2
TJTA=P*RθJA(t)
Duty Cycle, D= t1/ t2
10 100 300
p.4 

4페이지












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다운로드[ EMBB0N10J.PDF 데이터시트 ]

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