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EMB27N03J 데이터시트 PDF




Excelliance MOS에서 제조한 전자 부품 EMB27N03J은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 EMB27N03J 자료 제공

부품번호 EMB27N03J 기능
기능 Field Effect Transistor
제조업체 Excelliance MOS
로고 Excelliance MOS 로고


EMB27N03J 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 5 페이지수

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EMB27N03J 데이터시트, 핀배열, 회로
 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
D
RDSON (MAX.) 
27mΩ 
ID  6A 
G
 
 S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
 
 
2013/8/16 
 
EMB27N03J
LIMITS 
±20 
6 
4 
24 
1.25 
0.8 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
W 
°C 
MAXIMUM 
100 
UNIT 
°C / W 
p.1 




EMB27N03J pdf, 반도체, 판매, 대치품
 
 
 
  10
  I D  = 6A
 8
 6
 
 4
Gate Charge Characteristics
VD  S   = 5V
10V
15V
 2
 
0
 0
 
  100
48
Q  g ‐ Gate Charge( nC )
12
Maximum Safe Operating Area
16
   10 R D S  (O  N  ) Limit
100μs
1ms
 
1
 
10ms
100ms
1s
  0.1
  VG  S = 10V
Single Pulse
  R  J A  = 100°C/W
10s
DC
  T A  = 25°C
  0.01
  0.1
1 10
VD  S  ‐ DrainSource Voltage( V )
100
 
 1
Duty Cycle = 0.5
 
0.2
  0.1
0.1
  0.05
Transient Thermal Response Curve
  0.02
0.01
  0.01
  Single Pulse
 
  0.001
10 4
 
10 3
10 2
10 1
t 1 ,Time (sec)
1
 
 
 
 
2013/8/16 
  EMB27N03J
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
Capacitance Characteristics
f  =  1MHz
V G S  = 0 V
Ciss
Coss
Crss
5 10 15 20
VD  S ‐ DrainSource Voltage( V )
25
30
Single Pulse Maximum Power Dissipation
50
Single Pulse
Rθ  J A = 100°C/W
40 TA  = 25°C
30
20
10
0
0.001
0.01 0.1 1 10
t 1 ,Time ( sec )
100 1000
Notes:
P DM
t1
1.Duty Cycle,D =t2 t1
t2
2.Rθ  J  A =100°C/W
3.TJ  ‐  TA   = P * Rθ  J A  (t)
4.Rθ  J A (t)=r(t) + RθJA
10 100
1000
p.4 

4페이지












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다운로드[ EMB27N03J.PDF 데이터시트 ]

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