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부품번호 | EMB27N03J 기능 |
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기능 | Field Effect Transistor | ||
제조업체 | Excelliance MOS | ||
로고 | |||
N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary:
BVDSS
30V
D
RDSON (MAX.)
27mΩ
ID 6A
G
S
Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
Gate‐Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TA = 25 °C
TA = 70 °C
Power Dissipation
TA = 25 °C
TA = 70 °C
Operating Junction & Storage Temperature Range
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
VGS
ID
IDM
PD
Tj, Tstg
TYPICAL
Junction‐to‐Ambient
RJA
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2Duty cycle 1%
2013/8/16
EMB27N03J
LIMITS
±20
6
4
24
1.25
0.8
‐55 to 150
UNIT
V
A
W
°C
MAXIMUM
100
UNIT
°C / W
p.1
10
I D = 6A
8
6
4
Gate Charge Characteristics
VD S = 5V
10V
15V
2
0
0
100
48
Q g ‐ Gate Charge( nC )
12
Maximum Safe Operating Area
16
10 R D S (O N ) Limit
100μs
1ms
1
10ms
100ms
1s
0.1
VG S = 10V
Single Pulse
R J A = 100°C/W
10s
DC
T A = 25°C
0.01
0.1
1 10
VD S ‐ Drain‐Source Voltage( V )
100
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
Transient Thermal Response Curve
0.02
0.01
0.01
Single Pulse
0.001
10 ‐4
10 ‐3
10 ‐2
10 ‐1
t 1 ,Time (sec)
1
2013/8/16
EMB27N03J
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
Capacitance Characteristics
f = 1MHz
V G S = 0 V
Ciss
Coss
Crss
5 10 15 20
VD S ‐ Drain‐Source Voltage( V )
25
30
Single Pulse Maximum Power Dissipation
50
Single Pulse
Rθ J A = 100°C/W
40 TA = 25°C
30
20
10
0
0.001
0.01 0.1 1 10
t 1 ,Time ( sec )
100 1000
Notes:
P DM
t1
1.Duty Cycle,D =t2 t1
t2
2.Rθ J A =100°C/W
3.TJ ‐ TA = P * Rθ J A (t)
4.Rθ J A (t)=r(t) + RθJA
10 100
1000
p.4
4페이지 | |||
구 성 | 총 5 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
EMB27N03J | Field Effect Transistor | Excelliance MOS |
EMB27N03K | Field Effect Transistor | Excelliance MOS |
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