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부품번호 | EMBA1N10Q 기능 |
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기능 | Field Effect Transistor | ||
제조업체 | Excelliance MOS | ||
로고 | |||
N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary:
BVDSS
100V
D
RDSON (MAX.)
110mΩ
ID 4.5A G
UIS, Rg 100% Tested
S
Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
Gate‐Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Avalanche Current
Avalanche Energy
Repetitive Avalanche Energy2
L = 0.1mH, ID=5A, RG=25Ω
L = 0.05mH
Power Dissipation
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Operating Junction & Storage Temperature Range
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
VGS
ID
IDM
IAS
EAS
EAR
PD
Tj, Tstg
TYPICAL
Junction‐to‐Case
RJC
Junction‐to‐Ambient
RJA
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2Duty cycle 1%
2013/10/8
EMBA1N10Q
LIMITS
±20
4.5
3
18
5
1.25
0.625
6.25
2.5
‐55 to 150
UNIT
V
A
mJ
W
°C
MAXIMUM
20
150
UNIT
°C / W
p.1
TYPICAL CHARACTERISTICS
20
On‐Region Characteristics
16
12
8
4
VG S = 10V
8.0V
7.0V
6.0V
4.5V
0
0 5 10 15 20 25
VD S ‐ Drain‐Source Voltage( V )
On‐Resistance Variation with Temperature
1.9
I D = 4.5A
VG S = 10V
1.6
1.3
1.0
0.7
0.4
‐50 ‐25
0 25
50 75 100 125 150
T J ‐ Junction Temperature (°C)
Transfer Characteristics
12
VD S = 10V
10
8
6
4
2
T A = ‐55°C
25°C
125°C
0
23
45
6
VG S ‐ Gate‐Source Voltage( V )
2013/10/8
EMBA1N10Q
On‐Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
1.7
1.6
1.5
1.4
VG S = 4.5 V
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0
4
6.0 V
7.0 V
8.0 V
10 V
8 12
I D ‐ Drain Current( A )
16
20
0.27
0.24
0.21
0.18
0.15
0.12
0.09
0.06
0.03
2
On‐Resistance Variation with Gate‐Source Voltage
I D = 2A
TA = 125°C
TA = 25°C
46
8
VG S ‐ Gate‐Source Voltage( V )
10
Body Diode Forward Voltage Variation
100 with Source Current and Temperature
V G S = 0V
10
1
0.1
TA = 125°C 25°C
‐55°C
0.01
0.001
0
0.2 0.4
0.6 0.8 1.0 1.2
VS D ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
1.4
p.4
4페이지 | |||
구 성 | 총 5 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
EMBA1N10A | Field Effect Transistor | Excelliance MOS |
EMBA1N10Q | Field Effect Transistor | Excelliance MOS |
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