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EMB55N06G 데이터시트 PDF




Excelliance MOS에서 제조한 전자 부품 EMB55N06G은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 EMB55N06G 자료 제공

부품번호 EMB55N06G 기능
기능 Field Effect Transistor
제조업체 Excelliance MOS
로고 Excelliance MOS 로고


EMB55N06G 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 5 페이지수

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EMB55N06G 데이터시트, 핀배열, 회로
 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
60V 
D
RDSON (MAX.) 
55mΩ 
ID  6A 
G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=6A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
EMB55N06G
LIMITS 
±20 
6 
4.5 
24 
6 
1.8 
0.9 
2.5 
1 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
350°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
2013/11/8 
TYPICAL 
 
 
MAXIMUM 
25 
50 
UNIT 
°C / W 
p.1 




EMB55N06G pdf, 반도체, 판매, 대치품
 
 
  40
OnRegion Characteristics
  VG  S = 10V 7V
32 6V
  5V
  24
  16
 
 8
 0
0
 
24 6
VD S  ‐ DrainSource Voltage( V )
8
 
  OnResistance Variation with Temperature
2.2
  2.0
I D  = 6A
VG  S = 10V
  1.8
1.6
  1.4
  1.2
  1.0
  0.8
0.6
  0.4
  50 25 0 25 50 75 100 125 150
T  J  ‐ Ju n c tio n  T e m p e r a tu r e  ( °C  )
 
 
  20
Transfer Characteristics
  VD  S = 5V
16
 
  12
T A  = ‐55°C
25°C
125°C
 8
 
4
 
 0
1 2 3 4 56
  VG S  ‐ GateSource Voltage( V )
 
 
 
 
 
2013/11/8 
  EMB55N06G
OnResistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
1.8
1.6
1.4
VG  S  = 5.0 V
1.2 6.0 V
7.0 V
1.0 10 V
0.8
0
8 16 24 32
I D  ‐ Drain Current( A )
40
OnResistance Variation with GateSource Voltage
0.14
I D  = 3 A
0.12
0.10
0.08
T A  = 125°C
0.06
0.04 T A  = 25°C
0.02
0
2
46
8
VG  S ‐ GateSource Voltage( V )
10
100
V G S  = 0V
10
Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature
1 TA   = 125°C
25°C
0.1
0.01 55°C
0.001
0.0001
0
0.2 0.4
0.6 0.8 1.0
VS D  ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
1.2
p.4 

4페이지












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