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부품번호 | EMB55N06G 기능 |
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기능 | Field Effect Transistor | ||
제조업체 | Excelliance MOS | ||
로고 | |||
N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary:
BVDSS
60V
D
RDSON (MAX.)
55mΩ
ID 6A
G
UIS, Rg 100% Tested
S
Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
Gate‐Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TA = 25 °C
TA = 100 °C
Avalanche Current
Avalanche Energy
Repetitive Avalanche Energy2
L = 0.1mH, ID=6A, RG=25Ω
L = 0.05mH
Power Dissipation
TA = 25 °C
TA = 100 °C
Operating Junction & Storage Temperature Range
VGS
ID
IDM
IAS
EAS
EAR
PD
Tj, Tstg
EMB55N06G
LIMITS
±20
6
4.5
24
6
1.8
0.9
2.5
1
‐55 to 150
UNIT
V
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
Junction‐to‐Case
RJC
Junction‐to‐Ambient3
RJA
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2Duty cycle 1%
350°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper.
2013/11/8
TYPICAL
MAXIMUM
25
50
UNIT
°C / W
p.1
40
On‐Region Characteristics
VG S = 10V 7V
32 6V
5V
24
16
8
0
0
24 6
VD S ‐ Drain‐Source Voltage( V )
8
On‐Resistance Variation with Temperature
2.2
2.0
I D = 6A
VG S = 10V
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
‐50 ‐25 0 25 50 75 100 125 150
T J ‐ Ju n c tio n T e m p e r a tu r e ( °C )
20
Transfer Characteristics
VD S = 5V
16
12
T A = ‐55°C
25°C
125°C
8
4
0
1 2 3 4 56
VG S ‐ Gate‐Source Voltage( V )
2013/11/8
EMB55N06G
On‐Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
1.8
1.6
1.4
VG S = 5.0 V
1.2 6.0 V
7.0 V
1.0 10 V
0.8
0
8 16 24 32
I D ‐ Drain Current( A )
40
On‐Resistance Variation with Gate‐Source Voltage
0.14
I D = 3 A
0.12
0.10
0.08
T A = 125°C
0.06
0.04 T A = 25°C
0.02
0
2
46
8
VG S ‐ Gate‐Source Voltage( V )
10
100
V G S = 0V
10
Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature
1 TA = 125°C
25°C
0.1
0.01 ‐55°C
0.001
0.0001
0
0.2 0.4
0.6 0.8 1.0
VS D ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
1.2
p.4
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EMB55N06G | Field Effect Transistor | Excelliance MOS |
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