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EMB09N03HR 데이터시트 PDF




Excelliance MOS에서 제조한 전자 부품 EMB09N03HR은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 EMB09N03HR 자료 제공

부품번호 EMB09N03HR 기능
기능 Field Effect Transistor
제조업체 Excelliance MOS
로고 Excelliance MOS 로고


EMB09N03HR 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 6 페이지수

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EMB09N03HR 데이터시트, 핀배열, 회로
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
D
RDSON (MAX.) 
9.5mΩ 
ID  50A 
 
UIS, Rg 100% Tested 
G
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMB09N03HR
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
VGS  ±20 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
ID 
IDM 
50 
35 
140 
Avalanche Current 
IAS  37.5 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=37.5A, RG=25Ω
L = 0.05mH 
EAS 
EAR 
70 
15 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
PD 
Tj, Tstg 
50 
26 
55 to 150 
100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=25A, Rated VDS=30V NCH
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
UNIT 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
350°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
 
2.5 
°C / W 
50 
2012/3/26 
p.1 




EMB09N03HR pdf, 반도체, 판매, 대치품
TYPICAL CHARACTERISTICS 
 
100
 
10V
7V 6V
  80
 
60
 
5V
VG  S = 4.5V
  40
 
20
 
 0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
  VD S  ,DrainSource Voltage( V )
 
OnResistance Variation with Temperature
  1.8
I D  = 25A
V G S = 10V
  1.6
 
1.4
 
  1.2
  1.0
 
0.8
 
 
0.6
50
25
0 25 50 75 100 125 150
  Tj ,Junction Temperature(°C )
 
  50
Transfer Characteristics
V  D S =  1 0 V
  T A  = ‐55 °C
40
  25 °C
  30
125 °C
 
20
 
  10
 
0
 1
 
2 34
VG  S ,G a t e S o u r c e  V o lt a g e ( V  )
5
 
 
 
 
2012/3/26 
EMB09N03HR
 
3
VG  S = 4.5V
2.5
2
1.5
1
5V
5.5V
6V
7V
10V
0.5
0
20
0.030
I D  = 20A
0.025
40 60
I D  ,Drain Current( A ) 
80
100
0.020
0.015
0.010
TA   = 125° C
TA   = 25° C
0
2 468
VG S  ,GateSource Voltage( V )
Body Diode Forward Voltage Variation with
Source Current and Temperature
60
VG S  = 0V
10 TA  = 125°C
10
1
0.1
0.01
0.001
25°C
55°C
0.0001 0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0 1.2 1.4
VS D  ,Body Diode Forward Voltage( V )
p.4 

4페이지












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