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부품번호 | EMB12N03HR 기능 |
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기능 | Field Effect Transistor | ||
제조업체 | Excelliance MOS | ||
로고 | |||
N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary:
BVDSS
30V
D
RDSON (MAX.)
11.5mΩ
ID 25A G
UIS, Rg 100% Tested
S
Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
EMB12N03HR
LIMITS
UNIT
Gate‐Source Voltage
VGS ±20
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TC = 25 °C
TC = 100 °C
ID
IDM
25
20
100
Avalanche Current
IAS 30
Avalanche Energy
Repetitive Avalanche Energy2
L = 0.1mH, ID=30A, RG=25Ω
L = 0.05mH
EAS
EAR
45
22.5
Power Dissipation
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Operating Junction & Storage Temperature Range
PD
Tj, Tstg
35
14
‐55 to 150
100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=15A, Rated VDS=25V N‐CH
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
TYPICAL
MAXIMUM
V
A
mJ
W
°C
UNIT
Junction‐to‐Case
RJC
Junction‐to‐Ambient3
RJA
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2Duty cycle 1%
362°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper.
3.5
°C / W
62
2013/8/28
p.1
TYPICAL CHARACTERISTICS
EMB12N03HR
100
On‐Region Characteristics
VG S = 10V
7V 6V
80
5V
60
4.5V
On‐Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
3
2.5
VG S = 4.5V
5V
2
40
20
1.5 6V
7V
10V
1
0
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
0.5
0
20
40 60
80 100
VD S ,Drain‐Source Voltage( V )
I D ,Drain Current( A )
On‐Resistance Variation with Temperature
1.8
I D = 15A
V G S = 10V
1.6
On‐Resistance Variation with Gate‐Source Voltage
0.030
I D = 10A
0.025
1.4
1.2
1.0
0.8
0.020
0.015
0.010
TA = 125 °C
TA = 25 °C
0.6
‐50
‐25
0 25 50 75 100 125 150
0
2 4 6 8 10
Tj ,Junction Temperature(°C )
VG S ,Gate‐Source Voltage( V )
50
Transfer Characteristics
Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature
60
V D S = 10V
40
T A = ‐55 °C
25 °C
VG S = 0V
10
30
125 °C
1
20
0.1
TA = 125°C
0.01
25°C ‐55°C
10
0.001
0
0
1
2 34
VG S ,Gate‐Source Voltage( V )
5
0.0001
0 0.2
0.4 0.6
0.8
1.0 1.2 1.4
VS D ,Body Diode Forward Voltage( V )
2013/8/28
p.4
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
EMB12N03H | Field Effect Transistor | Excelliance MOS |
EMB12N03HR | Field Effect Transistor | Excelliance MOS |
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