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EMB12N03H 데이터시트 PDF




Excelliance MOS에서 제조한 전자 부품 EMB12N03H은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 EMB12N03H 자료 제공

부품번호 EMB12N03H 기능
기능 Field Effect Transistor
제조업체 Excelliance MOS
로고 Excelliance MOS 로고


EMB12N03H 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 6 페이지수

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EMB12N03H 데이터시트, 핀배열, 회로
 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
D
RDSON (MAX.) 
11.5mΩ 
ID  25A  G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMB12N03H
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
VGS  ±20 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
ID 
IDM 
25 
20 
100 
Avalanche Current 
IAS  30 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=30A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
EAS 
EAR 
45 
22.5 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
PD 
Tj, Tstg 
35 
14 
55 to 150 
100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=15A, Rated VDS=25V NCH
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
UNIT 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
362°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
3.5 
°C / W 
62 
2012/3/22 
p.1 




EMB12N03H pdf, 반도체, 판매, 대치품
 
TYPICAL CHARACTERISTICS 
 
EMB12N03H
 
100
OnRegion Characteristics
  VG S  = 10V
  80 7V
6V
 
60
 
5V
  40
4.5V
 
20
 
OnResistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
3
2.5
VG  S = 4.5V
5V
2
1.5 6V
7V
10V
1
 0
01 2 3 4 5 6 7 8
0.5
0 20 40 60 80 100
  V D S ,DrainSource Voltage( V )
I D  ,Drain Current( A ) 
 
  OnResistance Variation with Temperature
1.8
  I D  = 15A
V G S = 10V
1.6
 
OnResistance Variation with GateSource Voltage
0.030
I D  = 10A
0.025
  1.4
  1.2
 
1.0
 
  0.8
0.020
0.015
0.010
TA   = 125° C
TA   = 25 °C
  0.6
50
25
0 25 50 75 100 125 150
0
2
4
6
8 10
  Tj ,Junction Temperature(°C )
VG S  ,GateSource Voltage( V )
 
 
 
Transfer Characteristics
50
  V D S = 10V
40
 
T A  = ‐55 °C
25 °C
  30
125 °C
 
20
 
Body Diode Forward Voltage Variation with
Source Current and Temperature
60
VG S  = 0V
10 TA  = 125°C
1
25°C
0.1
55°C
0.01
  10
0.001
 0
012
3 45
0.0001 0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0 1.2 1.4
  VG  S ,GateSource Voltage( V )
VS D  ,Body Diode Forward Voltage( V )
 
 
 
2012/3/22 
p.4 

4페이지












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