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PDF EMB03N03H Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMB03N03H
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS　
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
D
RDSON (MAX.) 
3.0mΩ 
ID  75A  G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMB03N03H
LIMITS 
UNIT 
Gate‐Source Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
L = 0.1mH, ID=53A, RG=25Ω
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
±20 
75 
45 
160 
53 
140 
40 
50 
20 
‐55 to 150 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=40A, Rated VDS=30V N‐CH
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
UNIT 
Junction‐to‐Case 
RJC 
Junction‐to‐Ambient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1％ 
350°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
 
2.5 
°C / W 
50 
2011/12/16 
p.1 

1 page




EMB03N03H pdf
  G a te C h a rg e C h a ra c te ris tic s
12
  ID= 3 0 A
  10
 
10 4
EMB03N03H
C a p a c ita n c e  C h a ra c te ris tic s
C is s
 8
10V
  VDS =5V
15V
6
 
10 3
C o ss
C rss
 4
10 2
 
2
 
 0
0 30 60 90
  Q g ,G a te C h a rg e ( n C )
M AXIM UM  SAFE O PERATING AREA
  1000
 
 
 
 
 
100
R d  s (o n  ) Lim it
10
10 μ s
100 μ s
1ms
D1C0100mms s
 
  1 VG  S =  1 0 V
SIN GLE PULSE
  R  θ J C =  2 .5  °C /W
T c =  2 5  °C
  0.1
0.1
1
10
VD  S ,D R A IN ‐ S O U R C E  V O LT A G E ( V  )
 
100
f =  1  M H z
V GS= 0  V
0 5 10 15 20 25
V DS ‐D ra in ‐S o u rc e  V o lta g e ( V  )
30
SINGLE PULSE MAXIMUM POWER DISSIPATION
3000 SRθI N JC  G= L2E. 5P° UC/LWSE
TC  = 25° C
2500
2000
1500
1000
500
0 0.01
0.1 1 10 100
SINGLE PULSE TIME ( mSEC ) 
1000
 
1
  Duty Cycle = 0.5
  0.5
  0.3
0.2 0.2
 
  0.1 0.1
0.05
  0.05
  0.02
0.03
0.01
  0.02
S in g le  P u ls e
  0.01
1 0‐2
1 0‐1
 
Transient Therm al Response Curve
N o te s:
DM
1.D uty Cycle,D =
t1
t2
2 .R θ  J C  = 2 .5 °C /W
3 .TJ  ‐  T  C  =  P  *  R  θ J C  (t)
4 .R θ  J C (t )= r (t ) *  Rθ JC
1 10
t 1 ,T im e  ( m S E C  )
100
1000
 
 
 
 
2011/12/16 
p.5 

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMB03N03AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB03N03HField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB03N03HRField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB03N03VField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

 Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

 Analog Devices
Analog Devices


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