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EMB15N03VA 데이터시트 PDF




Excelliance MOS에서 제조한 전자 부품 EMB15N03VA은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 EMB15N03VA 자료 제공

부품번호 EMB15N03VA 기능
기능 Field Effect Transistor
제조업체 Excelliance MOS
로고 Excelliance MOS 로고


EMB15N03VA 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 5 페이지수

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EMB15N03VA 데이터시트, 핀배열, 회로
 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
D
RDSON (MAX.) 
15mΩ 
ID  8A 
G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
Bottom View
S DD
SD
 G D D
PIN 1
SYMBOL 
EMB15N03VA
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=10A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
±20 
8 
6 
32 
10 
5 
2.5 
2.08 
0.83 
55 to 150 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
360°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
2013/8/15 
TYPICAL 
 
 
MAXIMUM 
12 
60 
UNIT 
°C / W 
p.1 




EMB15N03VA pdf, 반도체, 판매, 대치품
 
 
OnRegion Characteristics
  35
VG S = 10V 6V
  7V
5V
28
 
  21
4.5V
  14
 
 7
 0
01
2
345
  VD S  ‐ Drain Source Voltage( V )
 
  1.9 OnResistance Variation with Temperature
  I D  = 8A
VG S  = 10V
  1.6
  1.3
 
  1.0
  0.7
 
0.4
  50 25
0 25 50 75 100 125 150
T J  ‐ Junction Temperature (°C)
 
 
  Transfer Characteristics
30
  VD S  = 10V
  25
  20
T A  = ‐55°C
25°C
  15
  10
125°C
 
5
 
0
  1 1.5
2.0
2.5 3.0
3.5
VG S  ‐ GateSource Voltage( V )
 
 
 
 
 
2013/8/15 
  EMB15N03VA
OnResistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0
V G  S = 4.5 V
5.0 V
6.0 V
7.0 V
10 V
7 14 21 28 35
I D  ‐ Drain Current(A)
0.040
0.035
0.030
0.025
0.020
0.015
0.010
0.005
0
2
OnResistance Variation with GateSource Voltage
I D  = 5 A
T A  = 125°C
T A  = 25°C
46
8
VG S  ‐ GateSource Voltage( V )
10
Body Diode Forward Voltage Variation 
with Source Current and Temperature
100
VG S   = 0V
10 T A  = 125° C
1 25° C
0.1 55° C
0.01
0.001
0
0.2 0.4
0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
VS D  ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
p.4 

4페이지












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