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부품번호 | EMF30G02K 기능 |
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기능 | Field Effect Transistor | ||
제조업체 | Excelliance MOS | ||
로고 | |||
Dual N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary:
BVDSS
20V
D1/D2
RDSON (MAX.)
ID
30mΩ
5A
G1
G2
S1 S2
Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
Gate‐Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TA = 25 °C
TA = 70 °C
Power Dissipation
TA = 25 °C
TA = 70 °C
Operating Junction & Storage Temperature Range
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
VGS
ID
IDM
PD
Tj, Tstg
TYPICAL
Junction‐to‐Ambient
RJA
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2Duty cycle 1%
2012/12/20
EMF30G02K
LIMITS
±12
5
3.6
20
1.25
0.83
‐55 to 150
UNIT
V
A
W
°C
MAXIMUM
100
UNIT
°C / W
p.1
EMF30G02K
5
G a te ‐C h a rg e C h a ra c te ristics
ID = 5A
4
Capacitance Characteristics
450
f =1MHz
375
VGS=0 V
3
2
VDS= 5V
10V
1
0
0 2 4 6 8 10 12
Q g, Gate Charge ( nC )
300
225
150
75
0
0
Ciss
Coss
Crss
5 10 15
VDS, Drain‐Source Voltage( V )
20
Maximum Safe Operating Area
100
RDS(ON) LIMIT
10
100μs
1ms
10ms
1
100ms
1s
VGS =4.5V
DC
0.1 SINGLE PULSE
RθJA=100°C/W
TA=25°C
0.01
0.1 1
10
VGS,Drain‐Source Voltage( V )
Single Pulse Maximum Power Dissipation
5
SINGLE PULSE
VGS= 4.5V
4 RθJA=100°C/W
TA=25°C
3
2
1
100
0
0.1
1 10
Single Pulse Time( sec )
100
1000
1
D=0.5
0.5
Transient Thermal Response Curve
0.2
0.2
0.1
0.1
0.05
0.05 0.02
0.01
0.02
Single Pulse
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
t1, Time( sec )
1
RθJA(t) = r(t) * RθJA
RθJA=100°C/W
t1
t2
TJ‐TA=P*RθJA(t)
Duty Cycle, D= t1/ t2
10 100 300
2012/12/20
p.4
4페이지 | |||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
EMF30G02K | Field Effect Transistor | Excelliance MOS |
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