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EMB21A03G 데이터시트 PDF




Excelliance MOS에서 제조한 전자 부품 EMB21A03G은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 EMB21A03G 자료 제공

부품번호 EMB21A03G 기능
기능 Field Effect Transistor
제조업체 Excelliance MOS
로고 Excelliance MOS 로고


EMB21A03G 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 5 페이지수

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EMB21A03G 데이터시트, 핀배열, 회로
 
 
Dual NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
RDSON (MAX.) 
21mΩ 
ID  7.5A 
 
UIS, Rg 100% Tested 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMB21A03G
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
VGS  ±20 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
ID 
IDM 
7.5 
5.5 
30 
Avalanche Current 
IAS  10 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=7.5A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
EAS 
EAR 
2.8 
1.4 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
PD 
Tj, Tstg 
2 
0.8 
55 to 150 
100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=7.5A, Rated VDS=30V NCH
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
UNIT 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
362.5°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
25 
62.5 
°C / W 
2012/10/25 
p.1 




EMB21A03G pdf, 반도체, 판매, 대치품
 
 
  30
OnRegion Characteristics
VG S = 10V 6V
  25 7V 5V
 
20
 
4.5V
  15
  10
 5
 
0
  01
2
34
VD S  ‐ Drain Source Voltage(V)
5
 
 
OnResistance Variation with Temperature
  1.9
I D  = 8A
  VG S  = 10V
1.6
 
  1.3
  1.0
 
0.7
 
  0.4
50 25 0 25 50 75 100 125 150
  T J  ‐ Junction Temperature (° C)
 
 
30
Transfer Characteristics
  VD S  = 10V
  25
  20
T A  = ‐55° C
25° C
  15
  10
125° C
 
5
 
0
  1 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5
VG S  ‐ GateSource Voltage( V )
 
 
 
 
 
2012/10/25 
  EMB21A03G
OnResistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0
V G  S = 4.5 V
5.0 V
6.0 V
7.0 V
10 V
6 12 18
I D  ‐ Drain Current(A)
24 30
0.09
0.08
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
2
OnResistance Variation with GateSource Voltage
I D  = 8 A
T A  = 125°C
T A  = 25°C
46
8
VG  S ‐ GateSource Voltage( V )
10
Body Diode Forward Voltage Variation 
with Source Current and Temperature
100
VG S   = 0V
10 T A  = 125° C
1 25° C
0.1 55° C
0.01
0.001
0
0.2 0.4
0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
VS D  ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
p.4 

4페이지












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