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부품번호 | EMB21A03G 기능 |
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기능 | Field Effect Transistor | ||
제조업체 | Excelliance MOS | ||
로고 | |||
Dual N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary:
BVDSS
30V
RDSON (MAX.)
21mΩ
ID 7.5A
UIS, Rg 100% Tested
Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
EMB21A03G
LIMITS
UNIT
Gate‐Source Voltage
VGS ±20
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TA = 25 °C
TA = 100 °C
ID
IDM
7.5
5.5
30
Avalanche Current
IAS 10
Avalanche Energy
Repetitive Avalanche Energy2
L = 0.1mH, ID=7.5A, RG=25Ω
L = 0.05mH
EAS
EAR
2.8
1.4
Power Dissipation
TA = 25 °C
TA = 100 °C
Operating Junction & Storage Temperature Range
PD
Tj, Tstg
2
0.8
‐55 to 150
100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=7.5A, Rated VDS=30V N‐CH
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
TYPICAL
MAXIMUM
V
A
mJ
W
°C
UNIT
Junction‐to‐Case
RJC
Junction‐to‐Ambient3
RJA
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2Duty cycle 1%
362.5°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper.
25
62.5
°C / W
2012/10/25
p.1
30
On‐Region Characteristics
VG S = 10V 6V
25 7V 5V
20
4.5V
15
10
5
0
01
2
34
VD S ‐ Drain Source Voltage(V)
5
On‐Resistance Variation with Temperature
1.9
I D = 8A
VG S = 10V
1.6
1.3
1.0
0.7
0.4
‐50 ‐25 0 25 50 75 100 125 150
T J ‐ Junction Temperature (° C)
30
Transfer Characteristics
VD S = 10V
25
20
T A = ‐55° C
25° C
15
10
125° C
5
0
1 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5
VG S ‐ Gate‐Source Voltage( V )
2012/10/25
EMB21A03G
On‐Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0
V G S = 4.5 V
5.0 V
6.0 V
7.0 V
10 V
6 12 18
I D ‐ Drain Current(A)
24 30
0.09
0.08
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
2
On‐Resistance Variation with Gate‐Source Voltage
I D = 8 A
T A = 125°C
T A = 25°C
46
8
VG S ‐ Gate‐Source Voltage( V )
10
Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature
100
VG S = 0V
10 T A = 125° C
1 25° C
0.1 ‐55° C
0.01
0.001
0
0.2 0.4
0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
VS D ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
p.4
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
EMB21A03G | Field Effect Transistor | Excelliance MOS |
EMB21A03V | Field Effect Transistor | Excelliance MOS |
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