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EMBJ7A25V PDF 데이터시트 : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 EMBJ7A25V
기능 Field Effect Transistor
제조업체 Excelliance MOS
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EMBJ7A25V 데이터시트, 핀배열, 회로
 
 
Dual NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
250V 
RDSON (MAX.) 
1.7Ω 
ID  0.5A 
 
Rg 100% Tested 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
PD 
Tj, Tstg 
EMBJ7A25V
LIMITS 
±20 
0.5 
0.3 
2 
2 
1.3 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
W 
°C 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
362.5°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
 
 
2012/8/6 
TYPICAL 
 
 
MAXIMUM 
25 
62.5 
UNIT 
°C / W 
p.1 




EMBJ7A25V pdf, 반도체, 판매, 대치품
 
TYPICAL CHARACTERISTICS 
 
  1.5
OnRegion Characteristics
  VG  S = 10V
1.2
  8.0V
  0.9
7.0V
 
0.6
 
  0.3
6.0V
5.0V
 0
  0246
8
VD S  ‐ DrainSource Voltage( V )
 
OnResistance Variation with Temperature
  1.9
I D  = 0.25A
  VG  S   = 10V
1.6
 
10
  1.3
 
1.0
 
  0.7
  0.4
50 25 0 25 50 75 100 125 150
  T J  ‐ Junction Temperature (°C)
 
Transfer Characteristics
  1.2
VD  S = 10V
  1.0
  0.8
TA   = ‐55°C
 
0.6
 
0.4
 
25°C
125°C
  0.2
 0
23
45 6
  VG  S ‐ GateSource Voltage( V )
 
 
 
 
 
2012/8/6 
  EMBJ7A25V
OnResistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
2.4
2.2
VG  S  = 5.0 V
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0
6.0 V
7.0 V
8.0 V
10 V
0.3 0.6 0.9
I D  ‐ Drain Current( A )
1.2
1.5
OnResistance Variation with GateSource Voltage
4.50
4.00 I D  = 0.15 A
3.50
3.00
2.50
2.00
TA   = 125°C
1.50
1.00 TA   = 25°C
0.50
2
46
8
VG  S ‐ GateSource Voltage( V )
Body Diode Forward Voltage Variation
10 with Source Current and Temperature
V G  S = 0V
1
10
0.1
TA   = 125°C 25°C
55°C
0.01
0.001
0.0001
0
0.2 0.4
0.6 0.8 1.0 1.2
VS  D ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
1.4
p.4 

4페이지













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