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EMF14A02V 데이터시트 PDF




Excelliance MOS에서 제조한 전자 부품 EMF14A02V은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 EMF14A02V 자료 제공

부품번호 EMF14A02V 기능
기능 Field Effect Transistor
제조업체 Excelliance MOS
로고 Excelliance MOS 로고


EMF14A02V 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 5 페이지수

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EMF14A02V 데이터시트, 핀배열, 회로
 
 
Dual NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
20V 
RDSON (MAX.) 
14.8mΩ 
ID  7A 
 
UIS 100% Tested 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMF14A02V
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
VGS 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
ID 
IDM 
Avalanche Current 
IAS 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=10A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
EAS 
EAR 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
PD 
Tj, Tstg 
100% UIS testing in condition of VD=10V, L=0.1mH, VG=4.5V, IL=7A, Rated VDS=20V NCH
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
±12 
7 
5 
28 
10 
5 
2.5 
2 
0.8 
55 to 150 
MAXIMUM 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
UNIT 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
362.5°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
25 
62.5 
°C / W 
2013/1/11 
p.1 




EMF14A02V pdf, 반도체, 판매, 대치품
 
 
  30
 OnRegion Characteristics
  VGS= 4.5V
3.0V
24 2.5V
 
  18
 
12
 
 6
 0
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2
  VDS, DrainSource Voltage( V )
 
  OnResistance Variation with Temperature
1.9
  I D  = 7A
VG S  = 4.5V
  1.6
 
1.3
 
  1.0
  0.7
 
  0.4
50 25
0 25
50 75 100 125 150
  T J  ‐ Junction Temperature (°C)
 
  Transfer  Characteristics
30
  VDS= 5V
  24
  18
 
12
 
25°C
TA= -55°C
125°C
 6
 0
0.5 1
1.5 2
2.5 3
  VGS, GateSource Voltage( V )
 
 
 
 
 
2013/1/11 
 
 OnResistance Variation w ith
 D ra in  C u rre n t a n d  G a te  V o lta g e
2.5
2
1.5
V GS=  2 .5 V
1
3.0V
4.5V
0.5
0
10 20
ID, D ra in  C u rre n t( A  )
EMF14A02V
30
0.08
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0
1
OnResistance Variation with GateSource Voltage
I D  = 3.5 A
T A  = 125°C
T A  = 25°C
23
4
VG  S ‐ GateSource Voltage( V )
5
Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature
100
VGS= 0V
10
1
0.1
0.01
0.001
TJ= 125°C 25°C
-55°C
0.0001
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1
VSD, Body Diode Forward Voltage( V )
1.2
p.4 

4페이지












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