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부품번호 | EMF14A02V 기능 |
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기능 | Field Effect Transistor | ||
제조업체 | Excelliance MOS | ||
로고 | |||
Dual N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary:
BVDSS
20V
RDSON (MAX.)
14.8mΩ
ID 7A
UIS 100% Tested
Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
EMF14A02V
LIMITS
UNIT
Gate‐Source Voltage
VGS
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TA = 25 °C
TA = 100 °C
ID
IDM
Avalanche Current
IAS
Avalanche Energy
Repetitive Avalanche Energy2
L = 0.1mH, ID=10A, RG=25Ω
L = 0.05mH
EAS
EAR
Power Dissipation
TA = 25 °C
TA = 100 °C
Operating Junction & Storage Temperature Range
PD
Tj, Tstg
100% UIS testing in condition of VD=10V, L=0.1mH, VG=4.5V, IL=7A, Rated VDS=20V N‐CH
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
TYPICAL
±12
7
5
28
10
5
2.5
2
0.8
‐55 to 150
MAXIMUM
V
A
mJ
W
°C
UNIT
Junction‐to‐Case
RJC
Junction‐to‐Ambient3
RJA
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2Duty cycle 1%
362.5°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper.
25
62.5
°C / W
2013/1/11
p.1
30
On‐Region Characteristics
VGS= 4.5V
3.0V
24 2.5V
18
12
6
0
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2
VDS, Drain‐Source Voltage( V )
On‐Resistance Variation with Temperature
1.9
I D = 7A
VG S = 4.5V
1.6
1.3
1.0
0.7
0.4
‐50 ‐25
0 25
50 75 100 125 150
T J ‐ Junction Temperature (°C)
Transfer Characteristics
30
VDS= 5V
24
18
12
25°C
TA= -55°C
125°C
6
0
0.5 1
1.5 2
2.5 3
VGS, Gate‐Source Voltage( V )
2013/1/11
On‐Resistance Variation w ith
D ra in C u rre n t a n d G a te V o lta g e
2.5
2
1.5
V GS= 2 .5 V
1
3.0V
4.5V
0.5
0
10 20
ID, D ra in C u rre n t( A )
EMF14A02V
30
0.08
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0
1
On‐Resistance Variation with Gate‐Source Voltage
I D = 3.5 A
T A = 125°C
T A = 25°C
23
4
VG S ‐ Gate‐Source Voltage( V )
5
Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature
100
VGS= 0V
10
1
0.1
0.01
0.001
TJ= 125°C 25°C
-55°C
0.0001
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1
VSD, Body Diode Forward Voltage( V )
1.2
p.4
4페이지 | |||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
EMF14A02G | Field Effect Transistor | Excelliance MOS |
EMF14A02V | Field Effect Transistor | Excelliance MOS |
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