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PDF EMF14A02V Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMF14A02V
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMF14A02V Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
Dual NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
20V 
RDSON (MAX.) 
14.8mΩ 
ID  7A 
 
UIS 100% Tested 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMF14A02V
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
VGS 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
ID 
IDM 
Avalanche Current 
IAS 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=10A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
EAS 
EAR 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
PD 
Tj, Tstg 
100% UIS testing in condition of VD=10V, L=0.1mH, VG=4.5V, IL=7A, Rated VDS=20V NCH
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
±12 
7 
5 
28 
10 
5 
2.5 
2 
0.8 
55 to 150 
MAXIMUM 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
UNIT 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
362.5°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
25 
62.5 
°C / W 
2013/1/11 
p.1 

1 page




EMF14A02V pdf
  EMF14A02V
 
 
   GateCharge Characteristics
5
  ID = 7A
 4
 3
VDS= 5V
10V
 
2
 
 1
 0
  0 2 4 6 8 10 12 14
Qg, Gate Charge ( nC )
1000
750
600
450
300
150
0
0
 Capacitance Characteristics
Ciss
f =1MHz
VGS=0 V
Coss
Crss
5 10 15
VDS, DrainSource Voltage( V )
20
 
100
 
Maximum Safe Operating Area
  RDS(ON) LIMIT
10
 
100μs
1ms
10ms
 1
 
100ms
1s
DC
  VGS =4.5V
0.1 SINGLE PULSE
RθJA=125°C/W
  TA=25°C
  0.01
0.1
 
1 10
VDS,DrainSource Voltage( V )
100
Single Pulse Maximum Power Dissipation
50
Single Pulse
Rθ  J A = 125° C/W
40 TA  = 25° C
30
20
10
0
0.001
0.01 0.1
1
10
100 1000
 
 1
  Duty Cycle = 0.5
Transient Thermal Response Curve
  0.2
0.1
  0.1
0.05
 
0.02
  0.01
0.01
Single Pulse
0.001
10 4
10 3
10 2
10 1
t 1 ,Time (sec)
1
Notes:
P DM
t1
1.Duty Cycle,D =t2 t1
t2
2.Rθ  J  A =125°C/W
3.TJ  ‐  TA   = P * Rθ  J A  (t)
4.Rθ  J A (t)=r(t) + RθJA
10 100
1000
2013/1/11 
p.5 

5 Page










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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMF14A02GField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMF14A02VField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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