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EMB30P03A 데이터시트 PDF




Excelliance MOS에서 제조한 전자 부품 EMB30P03A은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 EMB30P03A 자료 제공

부품번호 EMB30P03A 기능
기능 Field Effect Transistor
제조업체 Excelliance MOS
로고 Excelliance MOS 로고


EMB30P03A 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 6 페이지수

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EMB30P03A 데이터시트, 핀배열, 회로
 
 
PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
D
RDSON (MAX.) 
30mΩ 
ID 
22A 
G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=12A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
2012/5/22 
EMB30P03A
LIMITS 
±20 
22 
18 
60 
12 
7.2 
3.6 
33 
13 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
MAXIMUM 
3.75 
80 
UNIT 
°C / W 
p.1 




EMB30P03A pdf, 반도체, 판매, 대치품
 
TYPICAL CHARACTERISTICS 
 
  50
V G S  = ‐10V
Typical Output Characteristics
  40
7.0V
6.0V
 
30
 
5.0V
4.5V
  20
 
10
 
 0
0 2 4 6 8 10
  VD S  ‐ DrainSource Voltage( V )
 
OnResistance Variation with Temperature
  1.9
ID   = ‐20 A
  VG  S   = ‐ 10V
1.6
 
  1.3
  1.0
 
  0.7
 
 
0.4
50 25
0 25
50 75 100 125 150
T J  ‐ Junction Temperature (°C)
 
  Transfer Characteristics
60
  VD  S = ‐5.0V 
  48
T A  = ‐55 °C
25 °C
  36
 
125° C
  24
  12
 
0
  1 2 3 45
VG S  ,GateSource Voltage( V )
 
 
 
 
 
2012/5/22 
  EMB30P03A
2.4 OnResistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
2.2
2.0
1.8
VG  S = ‐4.5V
1.6
1.4
1.2
1.0
5.0V
6.0V
7.0V
10V
0.8
0 10 20 30 40
I D  Drain Current( A ) 
50
OnResistance Variation with GateSource Voltage
0.12
 I D = ‐7A 
0.09
0.06
0.03
02
TA   = 125°  C
T A  = 25°  C
468
VG  S ‐ GateSource Voltage(V)
10
Body Diode Forward Voltage Variation with
Source Current and Temperature
100
VS D  =0V 
10
1  TA  = 125 ° C
25° C
0.1
55° C
0.01
0.001
0.0001
0
0.2 0.4 0.6 0.8
VS D  ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
1.0
1.2 1.4
p.4 

4페이지












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다운로드[ EMB30P03A.PDF 데이터시트 ]

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