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PDF EMB07P03A Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMB07P03A
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMB07P03A Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
D
RDSON (MAX.) 
7.5mΩ 
ID 
80A 
G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMB07P03A
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
L = 0.1mH, ID=35A, RG=25Ω
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
PD 
Tj, Tstg 
±25 
80 
55 
160 
35 
61.25 
78 
31 
55 to 150 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=25A, Rated VDS=30V PCH
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
UNIT 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
2012/4/25 
 
 
1.6 
62.5 
°C / W 
p.1 

1 page




EMB07P03A pdf
 
10
I D  = ‐ 25A
8
6
Gate Charge Characteristics
VD  S   = ‐ 5V
‐ 15V
‐ 10V
4
 
7500
6000
4500
3000
EMB07P03A
Capacitance Characteristics
f = 1 MHz
VG  S = 0 V
Ciss
2 1500
Coss
0
0 15 30 45 60 75
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
0 Crss
0 5 10 15 20 25 30
‐ V D S , DrainSource Voltage( V )
300
100 R d s (o  n ) Limit
10
MAXIMUM SAFE OPERATING AREA
10μ  s
100μ  s
1ms
D10C100mmss
1
0.5
0.5
VG  S = ‐10V
RSIθ N J C G= L1E. 6P° UC/LWSE
Tc = 25 °C
1 10
VD S  ,DRAIN‐ SOURCE VOLTAGE( V )
100
1 Transient Thermal Response Curve
Duty Cycle = 0.5
0.5
0.3
0.2 0.2
0.1 0.1
0.05
0.05
0.02
0.03
0.01
0.02
Single Pulse
0.01
102
101
Notes:
DM
1 10
t 1 ,Time ( mSEC )
1.Duty Cycle,D =
t1
t2
2.Rθ  J C  =1.6°C/W
3.TJ  ‐  TC   = P * Rθ  J C  (t)
4.Rθ  J C (t)=r(t) * RθJC
100
SINGLE PULSE MAXIMUM POWER DISSIPATION
3000
SRθI N JC  G= L1E. 6P° UC/LWSE
TC  = 25° C
2500
2000
1500
1000
500
0 0.01
0.1 1 10 100
SINGLE PULSE TIME ( mSEC ) 
1000
1000
2012/4/25 
p.5 

5 Page










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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMB07P03AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB07P03CSField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB07P03GField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB07P03VField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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