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부품번호 | EMB45P03P 기능 |
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기능 | Field Effect Transistor | ||
제조업체 | Excelliance MOS | ||
로고 | |||
전체 5 페이지수
P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary:
BVDSS
RDSON (MAX.)
‐30V
50mΩ
D
ID ‐4A G
S
Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
Gate‐Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TA = 25 °C
TA = 100 °C
Power Dissipation
TA = 25 °C
TA = 70 °C
Operating Junction & Storage Temperature Range
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
VGS
ID
IDM
PD
Tj, Tstg
TYPICAL
Junction‐to‐Case
RJC
Junction‐to‐Ambient3
RJA
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2Duty cycle 1%
385°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper.
2012/4/26
EMB45P03P
LIMITS
±20
‐4
‐3
‐16
1.47
0.94
‐55 to 150
UNIT
V
A
W
°C
MAXIMUM
18
85
UNIT
°C / W
p.1
10
I D = ‐4A
8
6
Gate Charge Characteristics
VD S = ‐5V
‐10V
‐15V
4
2
0
0
2
4 68
Q g ,Gate Charge( nC )
10 12
100
Gate Charge Characteristics
R D S ( O N )LIMIT
10
1
100 μ s
1ms
10ms
100ms
1s
10s
0.1
VG S = ‐10V
DC
SINGLE PULSE
Rθ J A = 160° C/W
0.01 TA = 25° C
0.1
1
10
‐V D S ,Drain to Source Voltage( V )
100
EMB45P03P
1200
1050
900
750
600
450
300
150
0
0
Capacitance Characteristics
f = 1MHZ
VG S = 0V
Ciss
Coss
Crss
5 10 15 20
‐V D S Drain‐Source Voltage( V )
25
30
Single Pulse Maximum Power Dissipation
30
SINGLE PULSE
R θ JA = 160° C/W
25 T A = 25° C
20
15
10
5
00.01 0.1
1 10
Single Pulse Time( SEC )
100 300
1
D=0.5
Transient Thermal Response Curve
0.2
0.1 0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
SINGLE PULSE
0.001
0.0001
0.001
0.01 0.1
1
t1 , Time( ms )
Rθ J A (t)= r(t) *RθJA
R θ JA = 160 °C/W
P(pk)
t1
t2
Tj ‐ TA = P * Rθ J A (t)
Duty Cycle,D= t1 / t2
10 100
1000
2012/4/26
p.4
4페이지 | |||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
EMB45P03A | Field Effect Transistor | Excelliance MOS |
EMB45P03G | Field Effect Transistor | Excelliance MOS |
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