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EMB45P03P 데이터시트 PDF




Excelliance MOS에서 제조한 전자 부품 EMB45P03P은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 EMB45P03P 자료 제공

부품번호 EMB45P03P 기능
기능 Field Effect Transistor
제조업체 Excelliance MOS
로고 Excelliance MOS 로고


EMB45P03P 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 5 페이지수

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EMB45P03P 데이터시트, 핀배열, 회로
 
 
PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
RDSON (MAX.) 
30V 
50mΩ 
D
ID  ‐4A  G
 
 S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
385°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
 
 
2012/4/26 
EMB45P03P
LIMITS 
±20 
4 
3 
16 
1.47 
0.94 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
W 
°C 
MAXIMUM 
18 
85 
UNIT 
°C / W 
p.1 




EMB45P03P pdf, 반도체, 판매, 대치품
 
 
  10
I  D = ‐4A
 8
 
 6
Gate Charge Characteristics
VD S   = ‐5V
10V
15V
 4
 
 2
 0
 0
2
4 68
Q g  ,Gate Charge( nC )
10 12
 
  100
Gate Charge Characteristics
 
  R D S ( O N  )LIMIT
10
 
 1
100 μ  s
1ms
10ms
100ms
1s
  10s
  0.1
VG  S = ‐10V
DC
  SINGLE PULSE
Rθ  J A = 160° C/W
  0.01 TA  = 25° C
0.1
1
10
  V D S ,Drain to Source Voltage( V )
100
  EMB45P03P
1200
1050
900
750
600
450
300
150
0
0
Capacitance Characteristics
f = 1MHZ
VG  S = 0V
Ciss
Coss
Crss
5 10 15 20
V D S  DrainSource Voltage( V )
25
30
Single Pulse Maximum Power Dissipation
30
SINGLE PULSE
R θ JA  = 160° C/W
25 T A = 25° C
20
15
10
5
00.01 0.1
1 10
Single Pulse Time( SEC )
100 300
 
 1
  D=0.5
Transient Thermal Response Curve
  0.2
  0.1 0.1
0.05
 
0.02
  0.01
0.01
 
  SINGLE PULSE
  0.001
0.0001
 
0.001
0.01 0.1
1
t1 , Time( ms ) 
Rθ  J A (t)= r(t) *RθJA
R θ  JA  = 160 °C/W
P(pk)
t1
t2
Tj ‐ TA  = P * Rθ  J A  (t)
Duty Cycle,D= t1  / t2
10 100
1000
 
 
 
 
2012/4/26 
p.4 

4페이지












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다운로드[ EMB45P03P.PDF 데이터시트 ]

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