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부품번호 | EMF60P02J 기능 |
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기능 | Field Effect Transistor | ||
제조업체 | Excelliance MOS | ||
로고 | |||
전체 5 페이지수
P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary:
BVDSS
‐20V
D
RDSON (MAX.)
60mΩ
ID ‐4A G
S
Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
LIMITS
Gate‐Source Voltage
VGS ±12
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TA = 25 °C
TA = 70 °C
ID
IDM
‐4
‐2.8
‐16
Power Dissipation
TA = 25 °C
TA = 70 °C
Operating Junction & Storage Temperature Range
PD
Tj, Tstg
1.25
0.8
‐55 to 150
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
TYPICAL
MAXIMUM
Junction‐to‐Ambient3
RJA
Junction‐to‐Lead4
RJL
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2Duty cycle 1%
3100°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper.
4 RJA is the sum of the thermal impedance from junction to lead RJL and lead to ambient.
100
55
EMF60P02J
UNIT
V
A
W
°C
UNIT
°C / W
2014/1/7
p.1
EMF60P02J
Gate Threshold Voltage v.s. Junction Temperature
1.5
1.25
1.0
0.75
Single Pulse Maximum Power Dissipation
20
Single Pulse
Rθ J A = 100°C/W
TA = 25°C
15
10
0.50
0.25
0
‐50
0 50
100 150
TJ ‐ Junction Temperature (°C)
Maximum Safe Operating Area
100
5
0
0.001
0.01 0.1
1
10 100
t 1 ,Time ( SEC )
1000
10 RDS(ON) LIMIT
100μs
1ms
1
10ms
100ms
1s
DC
VGS =‐4.5V
0.1 SINGLE PULSE
RθJA=100°C/W
TA=25°C
0.01
0.1 1
10 100
‐VGS,Drain‐Source Voltage( V )
Transient Thermal Response Curve
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
Single Pulse
0.02
0.01
Notes:
P DM
t1
t2 t1
1.Duty Cycle,D =
t2
2.Rθ J A =100°C/W
3.TJ ‐ TA = P * Rθ J A (t)
4.Rθ J A (t)=r(t) + RθJA
0.01
10 ‐4
10 ‐3
10 ‐2
10 ‐1
1
10
100 1000
t1 ,Time ( SEC )
2014/1/7
p.4
4페이지 | |||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
EMF60P02J | Field Effect Transistor | Excelliance MOS |
EMF60P02K | Field Effect Transistor | Excelliance MOS |
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