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PDF EMB14P03G Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMB14P03G
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMB14P03G Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
D
RDSON (MAX.) 
14mΩ 
ID 
12A 
G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMB14P03G
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
L = 0.1mH, ID=20A, RG=25Ω
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
PD 
Tj, Tstg 
±25 
12 
9 
48 
20 
20 
2.5 
1 
55 to 150 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=12A, Rated VDS=30V PCH
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
UNIT 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
350°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
2012/12/30 
 
 
25 
°C / W 
50 
p.1 

1 page




EMB14P03G pdf
 
10
I D  = ‐ 12A
8
Gate Charge Characteristics
6 ‐ 10V
VD  S   = ‐ 5V ‐ 15V
4
  EMB14P03G
3000
2400
1800
Capacitance Characteristics
f = 1 MHz
VG  S = 0 V
Ciss
1200
2
0
0
10 20
30
40
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
Maximum Safe Operating Area
100
R D S ( O N  )  Limit
10
1
100s
1ms
10ms
100ms
1s
10s
DC
0.1
V G S  = ‐ 10 V
Single Pulse
Rθ   J A   = 125° C / W
0.01 T A   = 25° C
0.1 1 10
VS D  , Drain ‐ Source Voltage(V)
50
100
600
0
0
Coss
Crss
5 10 15 20 25
‐ VD S  , DrainSource Voltage( V )
30
Single Pulse Maximum Power Dissipation
50
   Single Pulse
Rθ  J A = 125° C/W
40 TA  = 25° C
30
20
10
0
0.001
0.01 0.1 1 10 100 1000
t 1 ,Time (sec)
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1 0.1
0.05
0.01
0.02
0.01
0.001
10 4
Single Pulse
103
Transient Thermal Response Curve
102 101
1
t1  ,Time (sec)
Notes:
P DM
t1
t2 t1
1.Duty Cycle,D =
t2
2.R θ J  A =125°C/W
3.TJ  ‐  TA   = P * Rθ  J A  (t)
4.Rθ J  A (t)=r(t) * RθJA
10 100
1000
2012/12/30 
p.5 

5 Page










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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMB14P03GField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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