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EMB09P03H 데이터시트 PDF




Excelliance MOS에서 제조한 전자 부품 EMB09P03H은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 EMB09P03H 자료 제공

부품번호 EMB09P03H 기능
기능 Field Effect Transistor
제조업체 Excelliance MOS
로고 Excelliance MOS 로고


EMB09P03H 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 6 페이지수

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EMB09P03H 데이터시트, 핀배열, 회로
 
 
PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
D
RDSON (MAX.) 
9.5mΩ 
ID 
70A 
G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMB09P03H
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
L = 0.1mH, ID=20A, RG=25Ω
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
PD 
Tj, Tstg 
±25 
70 
50 
140 
20 
20 
50 
26 
55 to 150 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=15A, Rated VDS=30V PCH
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
UNIT 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
350°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
2012/3/22 
 
 
2.5 
°C / W 
50 
p.1 




EMB09P03H pdf, 반도체, 판매, 대치품
  EMB09P03H
 
OnRegion Characteristics
100
VG  S = ‐ 10V
‐ 7.0V
80
‐ 6.0V
‐ 5.0V
60
‐ 4.5V
40
20
0
0
1
2
VD  S ‐ DrainSource Voltage( V )
3
1.6 OnResistance Variation with Temperature
I  D = ‐ 25 A
VG  S   =  ‐ 1 0 V
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
50 25
0 25 50 75 100 125
T  J  ‐ Ju n ctio n  T e m p e ra tu re  (°C )
150
40
VDS = - 5V
30
Transfer Characteristics
- 55°C
25°C
20 TA = 125°C
10
0
1.5 2 2.5
3 3.5 4
-VGS - Gate-Source Voltage( V )
2012/3/22 
OnResistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
2.5
2.4
2.2
2.0 VGS= ‐4.5V
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
5.0V
6.0V
7.0V
10V
0.0
0 25 50 75 100
‐ ID, Drain Current( A )
0.030
0.025
OnResistance Variation with GateSource Voltage
I D  = ‐ 12.5 A
0.020
0.015
0.010
0.005
TA   = 125°C
TA   = 25°C
0
24 6
8
‐ VG  S ‐ GateSource Voltage( V )
Body Diode Forward Voltage Variation
100 with Source Current and Temperature
10 VG  S  = 0V
10
1 TA   = 125°C
0.1 25°C
0.01 55°C
0.001
0.0001
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
VS D  ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
1.2
p.4 

4페이지












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