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부품번호 | EMB09P03H 기능 |
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기능 | Field Effect Transistor | ||
제조업체 | Excelliance MOS | ||
로고 | |||
전체 6 페이지수
P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary:
BVDSS
‐30V
D
RDSON (MAX.)
9.5mΩ
ID
‐70A
G
UIS, Rg 100% Tested
S
Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
EMB09P03H
LIMITS
UNIT
Gate‐Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Avalanche Current
Avalanche Energy
L = 0.1mH, ID=‐20A, RG=25Ω
Power Dissipation
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Operating Junction & Storage Temperature Range
VGS
ID
IDM
IAS
EAS
PD
Tj, Tstg
±25
‐70
‐50
‐140
‐20
20
50
26
‐55 to 150
V
A
mJ
W
°C
100% UIS testing in condition of VD=‐15V, L=0.1mH, VG=‐10V, IL=‐15A, Rated VDS=‐30V P‐CH
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
TYPICAL
MAXIMUM
UNIT
Junction‐to‐Case
RJC
Junction‐to‐Ambient3
RJA
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2Duty cycle 1%
350°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper.
2012/3/22
2.5
°C / W
50
p.1
EMB09P03H
On‐Region Characteristics
100
VG S = ‐ 10V
‐ 7.0V
80
‐ 6.0V
‐ 5.0V
60
‐ 4.5V
40
20
0
0
1
2
‐VD S ‐ Drain‐Source Voltage( V )
3
1.6 On‐Resistance Variation with Temperature
I D = ‐ 25 A
VG S = ‐ 1 0 V
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
‐50 ‐25
0 25 50 75 100 125
T J ‐ Ju n ctio n T e m p e ra tu re (°C )
150
40
VDS = - 5V
30
Transfer Characteristics
- 55°C
25°C
20 TA = 125°C
10
0
1.5 2 2.5
3 3.5 4
-VGS - Gate-Source Voltage( V )
2012/3/22
On‐Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
2.5
2.4
2.2
2.0 VGS= ‐4.5V
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
‐5.0V
‐6.0V
‐7.0V
‐10V
0.0
0 25 50 75 100
‐ ID, Drain Current( A )
0.030
0.025
On‐Resistance Variation with Gate‐Source Voltage
I D = ‐ 12.5 A
0.020
0.015
0.010
0.005
TA = 125°C
TA = 25°C
0
24 6
8
‐ VG S ‐ Gate‐Source Voltage( V )
Body Diode Forward Voltage Variation
100 with Source Current and Temperature
10 VG S = 0V
10
1 TA = 125°C
0.1 25°C
0.01 ‐55°C
0.001
0.0001
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
‐VS D ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
1.2
p.4
4페이지 | |||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
EMB09P03A | Field Effect Transistor | Excelliance MOS |
EMB09P03H | Field Effect Transistor | Excelliance MOS |
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