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부품번호 | EMBB5B10G 기능 |
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기능 | Field Effect Transistor | ||
제조업체 | Excelliance MOS | ||
로고 | |||
Dual P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary:
BVDSS
‐100V
RDSON (MAX.)
250mΩ
ID ‐2.5A
Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
Gate‐Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TA = 25 °C
TA = 100 °C
Power Dissipation
TA = 25 °C
TA = 100 °C
Operating Junction & Storage Temperature Range
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
VGS
ID
IDM
PD
Tj, Tstg
TYPICAL
Junction‐to‐Case
RJC
Junction‐to‐Ambient
RJA
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2Duty cycle 1%
2012/9/21
EMBB5B10G
LIMITS
±20
‐2.5
‐1.8
‐10
2
0.8
‐55 to 150
UNIT
V
A
W
°C
MAXIMUM
25
62.5
UNIT
°C / W
p.1
TYPICAL CHARACTERISTICS
10
On‐Region Characteristics
VG S = ‐ 10.0V
8
‐ 9.0V
6
‐ 8.0V
‐ 7.0V
4
‐ 6.0V
2
0
0
‐ 5.0V
24
68
‐VD S ‐ Drain‐Source Voltage( V )
10
1.9
On‐Resistance Variation with Temperature
ID = ‐1.5A
VG S = ‐ 10V
1.6
1.3
1.0
0.7
0.4
‐50 ‐25
0 25 50 75 100 125 150
T J ‐ Junction Temperature (°C)
6 Transfer Characteristics
VD S = ‐ 10V
5
TA = ‐55°C
4
25°C
3
2
125°C
1
0
23 4 5 6
‐VG S ‐ Gate‐Source Voltage( V )
2012/9/21
EMBB5B10G
On‐Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
2.5
VG S = ‐ 5.0 V
2.0
‐ 6.0 V
1.5 ‐ 7.0 V
‐ 8.0 V
‐ 9.0 V
1.0 ‐ 10.0 V
0.5
0 2 4 6 8 10
‐ I D ‐ Drain Current(A)
0.50
0.45
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
2
On‐Resistance Variation with Gate‐Source Voltage
I D = ‐1 A
TA = 125°C
TA = 25°C
46
8
‐VG S ‐ Gate‐Source Voltage( V )
10
Body Diode Forward Voltage Variation
100 with Source Current and Temperature
VG S = 0V
10
1
0.1 T A = 125°C 25°C ‐55°C
0.01
0.001
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
‐VS D ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
p.4
4페이지 | |||
구 성 | 총 5 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
EMBB5B10G | Field Effect Transistor | Excelliance MOS |
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