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EMBB5B10G 데이터시트 PDF




Excelliance MOS에서 제조한 전자 부품 EMBB5B10G은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 EMBB5B10G 자료 제공

부품번호 EMBB5B10G 기능
기능 Field Effect Transistor
제조업체 Excelliance MOS
로고 Excelliance MOS 로고


EMBB5B10G 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 5 페이지수

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EMBB5B10G 데이터시트, 핀배열, 회로
 
 
Dual PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary:   
BVDSS 
100V 
RDSON (MAX.) 
250mΩ 
ID  ‐2.5A 
 
 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
 
 
 
2012/9/21 
EMBB5B10G
LIMITS 
±20 
2.5 
1.8 
10 
2 
0.8 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
W 
°C 
MAXIMUM 
25 
62.5 
UNIT 
°C / W 
p.1 




EMBB5B10G pdf, 반도체, 판매, 대치품
 
TYPICAL CHARACTERISTICS 
 
 
10
OnRegion Characteristics
  VG  S = ‐ 10.0V
 8
‐ 9.0V
 
6
 
‐ 8.0V
‐ 7.0V
 4
‐ 6.0V
 
2
 
 
0
0
 
‐ 5.0V
24
68
VD  S ‐ DrainSource Voltage( V )
10
 
 
1.9
OnResistance Variation with Temperature
  ID   = ‐1.5A
  VG  S   = ‐ 10V
1.6
 
1.3
 
  1.0
 
0.7
 
 
0.4
50 25
0 25 50 75 100 125 150
  T J  ‐ Junction Temperature (°C)
 
  6 Transfer Characteristics
  VD S  = ‐ 10V
5
  TA   = ‐55°C
4
 
25°C
 3
 2
125°C
 
1
 
0
  23 4 5 6
VG  S ‐ GateSource Voltage( V )
 
 
 
2012/9/21 
  EMBB5B10G
OnResistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
2.5
VG  S  = ‐ 5.0 V
2.0
‐ 6.0 V
1.5 ‐ 7.0 V
‐ 8.0 V
‐ 9.0 V
1.0 ‐ 10.0 V
0.5
0 2 4 6 8 10
‐ I D  ‐ Drain Current(A)
0.50
0.45
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
2
OnResistance Variation with GateSource Voltage
I D  = ‐1 A
TA   = 125°C
TA   = 25°C
46
8
VG  S ‐ GateSource Voltage( V )
10
Body Diode Forward Voltage Variation
100 with Source Current and Temperature
VG  S  = 0V
10
1
0.1 T A  = 125°C 25°C 55°C
0.01
0.001
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
VS D  ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
p.4 

4페이지












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다운로드[ EMBB5B10G.PDF 데이터시트 ]

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