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EMB17C03G 데이터시트 PDF




Excelliance MOS에서 제조한 전자 부품 EMB17C03G은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 EMB17C03G 자료 제공

부품번호 EMB17C03G 기능
기능 Field Effect Transistor
제조업체 Excelliance MOS
로고 Excelliance MOS 로고


EMB17C03G 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 8 페이지수

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EMB17C03G 데이터시트, 핀배열, 회로
 
 
N & PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
  NCH  PCH 
BVDSS 
RDSON (MAX.) 
30V  ‐30V 
17mΩ  20mΩ 
ID  10A  ‐8A 
 
UIS, Rg 100% Tested 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMB17C03G
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
VGS 
NCH 
PCH 
V 
±20  ±20 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
L = 0.1mH, ID=8A, RG=25Ω(N) 
L = 0.1mH, ID=7A, RG=25Ω(P) 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
10  ‐8 
7  ‐6 
40  ‐32 
10  ‐10 
3.2  2.45 
1.6  1.23 
2 
0.8 
55 to 150 
A 
mJ 
W 
°C 
100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=8A, Rated VDS=30V NCH 
100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=7A, Rated VDS=30V PCH
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
UNIT 
JunctiontoCase 
JunctiontoAmbient3 
203/1/10 
RJC 
RJA 
 
 
25 
62.5 
°C / W 
p.1 




EMB17C03G pdf, 반도체, 판매, 대치품
 
3Pulse width limited by maximum junction temperature. 
 
Ordering & Marking Information: 
Device Name: EMB17C03G for SOP8 
 
 
  
 
B17
C03
  ABCDEFG
 
AB1B7CCD0E3F:G D: eDvaictee  CNoadmee   
ABCDEFG: Date Code 
 
 
 
Outline Drawing 
 
 
 F
 
I
GI
  DE
 
 
 
  BC
 
 
A
 
 
 
 
 
H
J
K
Dimension in mm 
Dimension  A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  K   
Min. 
4.70  3.70  5.80  0.33
  1.20 0.08 0.40 0.19 0.25 0   
Typ. 
 
 
 
  1.27
 
 
 
 
 
  
Max. 
5.10  4.10  6.20  0.51
  1.62 0.28 0.83 0.26 0.50 8 
 
203/1/10 
EMB17C03G
p.4 

4페이지










EMB17C03G 전자부품, 판매, 대치품
 
PChannel 
40
OnRegion Characteristics
VG  S = ‐ 10V
32
‐ 7.0V
‐ 6.0V
‐ 5.0V
24
16 ‐ 4.5V
8
0
0
12
VD  S ‐ DrainSource Voltage( V )
3
O n R e sistan ce  V ariatio n  w ith  T e m p e ratu re
1.6
I  D =  ‐ 8  A
VG  S   =  ‐  1 0 V
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
50 25 0 25 50 75 100 125 150
T J  ‐ Junction Tem perature (°C)
40
VD  S = ‐ 5V
30
20
Transfer Characteristics
‐ 55°C
25°C
T A  = 125°C
10
0
1.5 2 2.5 3 3.5 4
VG  S ‐ GateSource Voltage( V )
  EMB17C03G
OnResistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
2.4
2.2
2.0
1.8 VG  S  = ‐ 4.5 V
1.6
‐ 5 V
1.4
‐ 6 V
1.2 ‐ 7 V
1.0 ‐ 10 V
0.8
0 8 16 24 32 40
‐ I D  ‐ Drain Current( A )
OnResistance Variation with GateSource Voltage
0.06
I D  = ‐4 A
0.05
0.04
0.03
0.02 T A  = 125°C
0.01 T A  = 25°C
0
24 6
8
‐ VG  S ‐ GateSource Voltage( V )
Body Diode Forward Voltage Variation
100 with Source Current and Temperature
10 VG  S  = 0V
10
1
0.1
0.01
TA   = 125°C
25°C
55°C
0.001
0.0001
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
VS D  ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
1.2
203/1/10 
p.7 

7페이지


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