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부품번호 | EMB17C03G 기능 |
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기능 | Field Effect Transistor | ||
제조업체 | Excelliance MOS | ||
로고 | |||
N & P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary:
N‐CH P‐CH
BVDSS
RDSON (MAX.)
30V ‐30V
17mΩ 20mΩ
ID 10A ‐8A
UIS, Rg 100% Tested
Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
EMB17C03G
LIMITS
UNIT
Gate‐Source Voltage
VGS
N‐CH
P‐CH
V
±20 ±20
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Avalanche Current
Avalanche Energy
L = 0.1mH, ID=8A, RG=25Ω(N)
L = 0.1mH, ID=‐7A, RG=25Ω(P)
Repetitive Avalanche Energy2
L = 0.05mH
Power Dissipation
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Operating Junction & Storage Temperature Range
ID
IDM
IAS
EAS
EAR
PD
Tj, Tstg
10 ‐8
7 ‐6
40 ‐32
10 ‐10
3.2 2.45
1.6 1.23
2
0.8
‐55 to 150
A
mJ
W
°C
100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=8A, Rated VDS=30V N‐CH
100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=‐10V, IL=‐7A, Rated VDS=‐30V P‐CH
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
TYPICAL
MAXIMUM
UNIT
Junction‐to‐Case
Junction‐to‐Ambient3
203/1/10
RJC
RJA
25
62.5
°C / W
p.1
3Pulse width limited by maximum junction temperature.
Ordering & Marking Information:
Device Name: EMB17C03G for SOP‐8
B17
C03
ABCDEFG
AB1B7CCD0E3F:G D: eDvaictee CNoadmee
ABCDEFG: Date Code
Outline Drawing
F
I
GI
DE
BC
A
H
J
K
Dimension in mm
Dimension A B C D E F G H I J K
Min.
4.70 3.70 5.80 0.33
1.20 0.08 0.40 0.19 0.25 0∘
Typ.
1.27
Max.
5.10 4.10 6.20 0.51
1.62 0.28 0.83 0.26 0.50 8∘
203/1/10
EMB17C03G
p.4
4페이지 P‐Channel
40
On‐Region Characteristics
VG S = ‐ 10V
32
‐ 7.0V
‐ 6.0V
‐ 5.0V
24
16 ‐ 4.5V
8
0
0
12
‐VD S ‐ Drain‐Source Voltage( V )
3
O n ‐R e sistan ce V ariatio n w ith T e m p e ratu re
1.6
I D = ‐ 8 A
VG S = ‐ 1 0 V
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
‐50 ‐25 0 25 50 75 100 125 150
T J ‐ Junction Tem perature (°C)
40
VD S = ‐ 5V
30
20
Transfer Characteristics
‐ 55°C
25°C
T A = 125°C
10
0
1.5 2 2.5 3 3.5 4
‐VG S ‐ Gate‐Source Voltage( V )
EMB17C03G
On‐Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
2.4
2.2
2.0
1.8 VG S = ‐ 4.5 V
1.6
‐ 5 V
1.4
‐ 6 V
1.2 ‐ 7 V
1.0 ‐ 10 V
0.8
0 8 16 24 32 40
‐ I D ‐ Drain Current( A )
On‐Resistance Variation with Gate‐Source Voltage
0.06
I D = ‐4 A
0.05
0.04
0.03
0.02 T A = 125°C
0.01 T A = 25°C
0
24 6
8
‐ VG S ‐ Gate‐Source Voltage( V )
Body Diode Forward Voltage Variation
100 with Source Current and Temperature
10 VG S = 0V
10
1
0.1
0.01
TA = 125°C
25°C
‐55°C
0.001
0.0001
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
‐VS D ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
1.2
203/1/10
p.7
7페이지 | |||
구 성 | 총 8 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
EMB17C03G | Field Effect Transistor | Excelliance MOS |
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