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EMB20D03H 데이터시트 PDF




Excelliance MOS에서 제조한 전자 부품 EMB20D03H은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 EMB20D03H 자료 제공

부품번호 EMB20D03H 기능
기능 Field Effect Transistor
제조업체 Excelliance MOS
로고 Excelliance MOS 로고


EMB20D03H 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 8 페이지수

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EMB20D03H 데이터시트, 핀배열, 회로
 
 
N & PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
  NCH  PCH 
BVDSS 
30V  ‐30V 
RDSON (MAX.) 
6.5mΩ  20mΩ 
ID  26A  ‐15A 
 
UIS, Rg 100% Tested 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
VGS 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
L = 0.1mH, ID=15A, RG=25Ω(N)
L = 0.1mH, ID=10A, RG=25Ω(P)
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
PD 
Tj, Tstg 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
JunctiontoAmbient3 
RJC 
RJA 
 
 
2014/2/14 
EMB20D03H
LIMITS 
NCH 
PCH 
±20  ±20 
26  ‐15 
15  ‐9 
100  ‐60 
25  ‐20 
11.25 
5 
UNIT 
V 
A 
mJ 
5.6  2.5 
25 
10 
2 
1.28 
55 to 150 
W 
W 
°C 
MAXIMUM 
5 
62.5 
UNIT 
°C / W 
p.1 




EMB20D03H pdf, 반도체, 판매, 대치품
 
 
 
Ordering & Marking Information: 
Device Name: EMB20D03H for EDFN 5 x 6 
 
    B20
  D03
  ABCDEFG
 
B20D03: Device Name 
ABCDEFG: Date Code 
 
Outline Drawing 
 
E3
E2
 
  D1
D2
b
 
  L2
L3 L
L1
M
 
  eD
 
 
A
  CE
  E1
Dimension in mm 
Dimension  A  A1  b  c  D  D1  D2  E  E1  E2  E3 
Min. 
0.85  0.00  0.30 0.15      0.5         
Typ.  0.95    0.40 0.2  5.2  4.35 0.6  5.55 6.05 3.82 3.946
Max. 
1.00  0.05  0.50 0.25      0.75        
Recommended minimum pads
 
 
 
 
 
 
0.65
4.6
0.6
0.575
1.27
EMB20D03H
e  L  L1  L2 
  0.45  0 
 
1.27  0.55    0.68
  0.65  0.15   
L3 
 
0.3 
 
M 
0˚ 
 
10˚ 
 
 
 
2014/2/14 
p.4 

4페이지










EMB20D03H 전자부품, 판매, 대치품
 
PChannel 
 
OnRegion Characteristics
  50
VG  S = ‐ 10V
  40
‐ 7.0V
‐ 5.0V
  ‐ 4.5V
  30
  20
 
10
 
 0
0
 
12
VD  S ‐ DrainSource Voltage( V )
3
 
OnResistance Variation with Temperature
  1.8
I D  = ‐15A
  1.6 V G S = ‐10V
  1.4
 
1.2
 
  1.0
  0.8
  0.6
50 25
0 25 50 75 100 125 150
  Tj ,Junction Temperature(°C )
 
 
40
Transfer Characteristics
  VD  S = ‐ 5V
  30
 
  20
‐ 55°C
25°C
T A  = 125°C
 
  10
 
 0
1.5 2 2.5 3 3.5 4
VG  S ‐ GateSource Voltage( V )
 
 
 
 
 
2014/2/14 
  EMB20D03H
OnResistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6 V G S  = ‐ 4.5 V
1.4 ‐ 5 V
‐ 6 V
1.2
‐ 7 V
1.0 ‐ 10 V
0.8
0 10 20 30 40 50
‐ I D  ‐ Drain Current( A )
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0
2
OnResistance Variation with GateSource Voltage
I D  = ‐10 A
T A  = 125°C
T A  = 25°C
46
8
‐ VG  S ‐ GateSource Voltage( V )
10
Body Diode Forward Voltage Variation
100 with Source Current and Temperature
10 VG  S  = 0V
1
0.1
0.01 TA   = 125°C 25°C
55°C
0.001
0.0001
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
VS D  ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
1.2
p.7 

7페이지


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