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부품번호 | EMB20D03H 기능 |
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기능 | Field Effect Transistor | ||
제조업체 | Excelliance MOS | ||
로고 | |||
N & P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary:
N‐CH P‐CH
BVDSS
30V ‐30V
RDSON (MAX.)
6.5mΩ 20mΩ
ID 26A ‐15A
UIS, Rg 100% Tested
Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
Gate‐Source Voltage
VGS
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Avalanche Current
Avalanche Energy
L = 0.1mH, ID=15A, RG=25Ω(N)
L = 0.1mH, ID=‐10A, RG=25Ω(P)
Repetitive Avalanche Energy2
L = 0.05mH
Power Dissipation
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Power Dissipation
TA = 25 °C
TA = 70 °C
Operating Junction & Storage Temperature Range
ID
IDM
IAS
EAS
EAR
PD
PD
Tj, Tstg
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
TYPICAL
Junction‐to‐Case
Junction‐to‐Ambient3
RJC
RJA
2014/2/14
EMB20D03H
LIMITS
N‐CH
P‐CH
±20 ±20
26 ‐15
15 ‐9
100 ‐60
25 ‐20
11.25
5
UNIT
V
A
mJ
5.6 2.5
25
10
2
1.28
‐55 to 150
W
W
°C
MAXIMUM
5
62.5
UNIT
°C / W
p.1
Ordering & Marking Information:
Device Name: EMB20D03H for EDFN 5 x 6
B20
D03
ABCDEFG
B20D03: Device Name
ABCDEFG: Date Code
Outline Drawing
E3
E2
D1
D2
b
L2
L3 L
L1
M
eD
A
CE
E1
Dimension in mm
Dimension A A1 b c D D1 D2 E E1 E2 E3
Min.
0.85 0.00 0.30 0.15 0.5
Typ. 0.95 0.40 0.2 5.2 4.35 0.6 5.55 6.05 3.82 3.946
Max.
1.00 0.05 0.50 0.25 0.75
Recommended minimum pads
0.65
4.6
0.6
0.575
1.27
EMB20D03H
e L L1 L2
0.45 0
1.27 0.55 0.68
0.65 0.15
L3
0.3
M
0˚
10˚
2014/2/14
p.4
4페이지 P‐Channel
On‐Region Characteristics
50
VG S = ‐ 10V
40
‐ 7.0V
‐ 5.0V
‐ 4.5V
30
20
10
0
0
12
‐VD S ‐ Drain‐Source Voltage( V )
3
On‐Resistance Variation with Temperature
1.8
I D = ‐15A
1.6 V G S = ‐10V
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
‐50 ‐25
0 25 50 75 100 125 150
Tj ,Junction Temperature(°C )
40
Transfer Characteristics
VD S = ‐ 5V
30
20
‐ 55°C
25°C
T A = 125°C
10
0
1.5 2 2.5 3 3.5 4
‐VG S ‐ Gate‐Source Voltage( V )
2014/2/14
EMB20D03H
On‐Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6 V G S = ‐ 4.5 V
1.4 ‐ 5 V
‐ 6 V
1.2
‐ 7 V
1.0 ‐ 10 V
0.8
0 10 20 30 40 50
‐ I D ‐ Drain Current( A )
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0
2
On‐Resistance Variation with Gate‐Source Voltage
I D = ‐10 A
T A = 125°C
T A = 25°C
46
8
‐ VG S ‐ Gate‐Source Voltage( V )
10
Body Diode Forward Voltage Variation
100 with Source Current and Temperature
10 VG S = 0V
1
0.1
0.01 TA = 125°C 25°C
‐55°C
0.001
0.0001
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
‐VS D ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
1.2
p.7
7페이지 | |||
구 성 | 총 8 페이지수 | ||
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EMB20D03H | Field Effect Transistor | Excelliance MOS |
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