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EMB21C03G 데이터시트 PDF




Excelliance MOS에서 제조한 전자 부품 EMB21C03G은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 EMB21C03G 자료 제공

부품번호 EMB21C03G 기능
기능 Field Effect Transistor
제조업체 Excelliance MOS
로고 Excelliance MOS 로고


EMB21C03G 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 8 페이지수

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EMB21C03G 데이터시트, 핀배열, 회로
 
 
N & PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
  NCH  PCH 
BVDSS 
RDSON (MAX.) 
30V  ‐30V 
21mΩ  35mΩ 
ID 
7.5A 
6A 
 
UIS, Rg 100% Tested 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMB21C03G
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
VGS 
NCH 
PCH 
V 
±20  ±20 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
L = 0.1mH, ID=7.5A, RG=25Ω(N)
L = 0.1mH, ID=6A, RG=25Ω(P) 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
7.5  ‐6 
5.5  ‐5 
30  ‐24 
10  ‐10 
2.8  1.8 
1.4  0.9 
2 
0.8 
55 to 150 
A 
mJ 
W 
°C 
100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=7.5A, Rated VDS=30V NCH 
100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=6A, Rated VDS=30V PCH
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
UNIT 
JunctiontoCase 
JunctiontoAmbient3 
2012/10/25 
RJC 
RJA 
 
 
25 
62.5 
°C / W 
p.1 




EMB21C03G pdf, 반도체, 판매, 대치품
 
3Pulse width limited by maximum junction temperature. 
 
Ordering & Marking Information: 
Device Name: EMB21C03G for SOP8 
 
 
 
 
  B21
C03
  ABCDEFG
 
AB2B1CCD0E3F:G D: eDvaictee  CNoadmee   
ABCDEFG: Date Code 
 
 
 
Outline Drawing 
 
 
 F
 
I
GI
  DE
 
 
 
  BC
 
 
A
 
 
 
 
 
H
J
K
Dimension in mm 
Dimension  A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  K   
Min. 
4.70  3.70  5.80  0.33
  1.20 0.08 0.40 0.19 0.25 0   
Typ. 
 
 
 
  1.27
 
 
 
 
 
  
Max. 
5.10  4.10  6.20  0.51
  1.62 0.28 0.83 0.26 0.50 8 
 
2012/10/25 
EMB21C03G
p.4 

4페이지










EMB21C03G 전자부품, 판매, 대치품
 
PChannel 
 
  25
V G S  = ‐10V
Typical Output Characteristics
  20
7.0V
6.0V
 
  15
5.0V
4.5V
  10
 
 5
 0
01 2 3 4 5
  VD S  ‐ DrainSource Voltage( V )
 
OnResistance Variation with Temperature
  1.9
  ID   = ‐6 A
VG  S   = ‐10V
1.6
 
  1.3
  1.0
 
  0.7
  0.4
  50 25
0 25 50 75 100 125 150
T J  ‐ Junction Temperature (°C)
 
  Transfer Characteristics
  15
VD  S = ‐5.0V 
  12
T A  = ‐55° C
25° C
125° C
 
 9
 6
 
3
 
 
0
1
 
23
VG S  ,GateSource Voltage
4
5
 
 
 
 
2012/10/25 
  EMB21C03G
2.4 OnResistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
2.2
2.0
1.8
VG  S = ‐4.5V
1.6
1.4
1.2
1.0
5.0V
6.0V
7.0V
10V
0.8
05
10 15 20
I D  Drain Current( A ) 
25
OnResistance Variation with GateSource Voltage
0.12
 I D = ‐3A 
0.09
0.06
0.03
02
TA   = 125°  C
T A  = 25°  C
468
VG  S ‐ GateSource Voltage(V)
10
Body Diode Forward Voltage Variation with
Source Current and Temperature
100
VS D  =0V 
10
1  TA  = 125 ° C
25° C
0.1
55° C
0.01
0.001
0.0001
0
0.2 0.4 0.6 0.8
VS D  ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
1.0
1.2 1.4
p.7 

7페이지


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