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EMB9930G 데이터시트 PDF




Excelliance MOS에서 제조한 전자 부품 EMB9930G은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 EMB9930G 자료 제공

부품번호 EMB9930G 기능
기능 Field Effect Transistor
제조업체 Excelliance MOS
로고 Excelliance MOS 로고


EMB9930G 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 8 페이지수

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EMB9930G 데이터시트, 핀배열, 회로
 
 
2N & 2PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary:   
  NCH  PCH 
BVDSS 
RDSON (MAX.) 
30V  ‐30V 
40mΩ  45mΩ 
ID 
5.5A 
4.5A 
 
 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
VGS 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
390°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
2012/6/18 
ID 
IDM 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
 
 
EMB9930G
LIMITS 
NCH 
PCH 
±20  ±20 
5.5  ‐4.5 
4.6  ‐3.8 
22  ‐18 
1.38 
0.75 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
W 
°C 
MAXIMUM 
36 
90 
UNIT 
°C / W 
p.1 




EMB9930G pdf, 반도체, 판매, 대치품
 
Ordering & Marking Information: 
Device Name: EMB9930G for SOP8 
 
 
  
 
B9930
B9930: Device Name 
 
ABCDEFG
ABCDEFG: Date Code 
 
 
 
Outline Drawing 
 
 
 F
 
I
G IH
DE
 
 
 
 
BC
 
 
 
A
 
 
 
 
 
J
K
Dimension in mm 
Dimension  A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  K   
Min. 
4.70  3.70  5.80  0.33
  1.20 0.08 0.40 0.19 0.25 0   
Typ. 
 
 
 
  1.27
 
 
 
 
 
  
Max. 
5.10  4.10  6.20  0.51
  1.62 0.28 0.83 0.26 0.50 8 
 
 
 
 
 
2012/6/18 
EMB9930G
p.4 

4페이지










EMB9930G 전자부품, 판매, 대치품
 
PChannel 
 
  OnRegion Characteristics
20
  V G  S = ‐ 10.0V
‐ 7.0V
  16
 
12
 
‐ 6.0V
‐ 5.0V
 8
 
4
 
4.5V
 0
0
 
12 34
VD  S ‐ DrainSource Voltage( V )
5
 
  1.9
OnResistance Variation with Temperature
ID   = ‐4.5 A
  VG  S   = ‐ 10V
1.6
 
  1.3
 
1.0
 
  0.7
 
0.4
  50 25 0 25 50 75 100 125 150
T J  ‐ Junction Temperature (°C)
 
 
Transfer Characteristics
12
 
VD S  = ‐ 10V
TA   = ‐55°C
  10
 8
 
6
 
4
 
25°C
125°C
 2
 0
23 4 56
  VG S  ‐ GateSource Voltage( V )
 
 
 
2012/6/18 
  EMB9930G
OnResistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
2.5
2
VG  S  = ‐ 4.5 V
1.5
1
‐ 5.0 V
‐ 6.0 V
‐ 7.0 V
‐ 10.0 V
0.5
0 4 8 12 16 20
‐ I D  ‐ Drain Current( A )
0.2 OnResistance Variation with GateSource Voltage
I D  = ‐ 2.3A
0.15
0.1
0.05
0
2
T A  = 125°C
T A  = 25°C
468
‐ VG  S ‐ GateSource Voltage( V )
10
Body Diode Forward Voltage Variation
100 with Source Current and Temperature
10 VG  S  = 0V
1 T A  = 125°C
0.1 25°C 55°C
0.01
0.001
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
VS D  ‐ Body Diode Forward Voltage(V)
1.2 1.4
p.7 

7페이지


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