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부품번호 | EMB02Q03HP 기능 |
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기능 | Field Effect Transistor | ||
제조업체 | Excelliance MOS | ||
로고 | |||
N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary:
N‐CH‐Q1 N‐CH‐Q2
BVDSS 30V 30V
RDSON (MAX.) 5.0mΩ 2.0mΩ
ID 53A 95A
UIS, Rg 100% Tested
Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
Gate‐Source Voltage
Continuous Drain Current3
Pulsed Drain Current1
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Continuous Drain Current3
Avalanche Current
TA = 25 °C
TA = 70 °C
Avalanche Energy
Repetitive Avalanche Energy2
L = 0.1mH, RG=25Ω
L = 0.05mH
Power Dissipation
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Power Dissipation
TA = 25 °C
TA = 70 °C
Operating Junction & Storage Temperature Range
2016/4/28
VGS
ID
IDM
ID
IAS
EAS
EAR
PD
PD
Tj, Tstg
EMB02Q03HP
LIMITS
Q1 Q2
±20 ±20
53 95
33 60
130 170
21 37
17 30
30 65
45 211
22 105
25 31
10 12.5
1.8 1.9
1.1 1.2
‐55 to 150
UNIT
V
A
mJ
W
W
°C
p.1
Gate‐Source Charge1,2
Gate‐Drain Charge1,2
Turn‐On Delay Time1,2
Rise Time1,2
Turn‐Off Delay Time1,2
Fall Time1,2
Qgs
Qgd
td(on)
tr
td(off)
tf
Q2
VDD = 15V, VGS = 10V,
ID = 25A
VDD = 15V,
ID = 1A, VGS = 10V, RGS = 2.7Ω
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Continuous Current
Forward Voltage1
SOURCE‐DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS (TJ = 25 °C)
IS Q1
Q2
VSD
IF = 10A, VGS = 0V
Q1
Q2
Reverse Recovery Time
trr Q1 Q1
IF = 16A, dlF/dt = 100A / S Q2
Reverse Recovery Charge
Qrr Q2
IF = 25A, dlF/dt = 100A / S
1Pulse test : Pulse Width 300 sec, Duty Cycle 2%.
2Independent of operating temperature.
3Pulse width limited by maximum junction temperature.
Q1
Q2
EMB02Q03HP
5
13
5.3
11
20
25 nS
15
16
55
60
20
25
20
A
33
1.2 V
1.2
30 nS
35
18 nC
25
2016/4/28
p.4
4페이지 EMB02Q03HP
G a te C h a rg e C h a ra c te ris tic s
12
ID = 1 6 A
10 4
C a p a c ita n c e C h a ra c te ris tic s
10
8
6
4
V DS =5V
15V
10V
10 3
10 2
C is s
C o ss
C rss
2
f = 1 M H z
V GS= 0 V
0
0
5
10 15 20
25 30 35
Q g ,G a te C h a rg e ( n C )
10
0
5 10 15 20 25
V DS ‐D ra in ‐S o u rc e V o lta g e ( V )
30
M axim um Safe Operating Area
1000
1 0 0 R D S ( O N ) Limit
10
10μs
100μs
1m s
10ms
100ms
1
1s
DC
0 .1 VG S = 1 0 V
Single Pulse
R J A = 7 0 °C /W
TA = 2 5 °C
0.01
0.1
1
10
VD S ‐ D ra in ‐S o u rce V o lta g e( V )
100
Single Pulse Maximum Power Dissipation
100
Single Pulse
Rθ J A = 70°C/W
80 TA = 25°C
60
40
20
0
0.001
0.01 0.1 1 10
t 1 ,Time ( sec )
100 1000
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
Single Pulse
Transient Thermal Response Curve
0.001
10‐4
10‐3
10‐2 10‐1
1
t 1 ,Time (sec)
Notes:
P DM
t1
t2
1.Duty Cycle,D =
t1
t2
2.Rθ J A =70°C/W
3.TJ ‐ TA = P * Rθ J A (t)
4.Rθ J A (t)=r(t) * RθJA
10 100
1000
2016/4/28
p.7
7페이지 | |||
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