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EMB02Q03HP 데이터시트 PDF




Excelliance MOS에서 제조한 전자 부품 EMB02Q03HP은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 EMB02Q03HP 자료 제공

부품번호 EMB02Q03HP 기능
기능 Field Effect Transistor
제조업체 Excelliance MOS
로고 Excelliance MOS 로고


EMB02Q03HP 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 10 페이지수

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EMB02Q03HP 데이터시트, 핀배열, 회로
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
  NCHQ1  NCHQ2 
BVDSS  30V  30V 
RDSON (MAX.)  5.0mΩ  2.0mΩ 
ID  53A  95A 
UIS, Rg 100% Tested 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current3 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Continuous Drain Current3 
Avalanche Current 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
 
 
 
 
2016/4/28 
VGS 
ID 
IDM 
ID 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
PD 
Tj, Tstg 
EMB02Q03HP
LIMITS 
Q1  Q2 
±20  ±20 
53  95 
33  60 
130  170 
21  37 
17  30 
30  65 
45  211 
22  105 
25  31 
10  12.5 
1.8  1.9 
1.1  1.2 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
W 
°C 
p.1 




EMB02Q03HP pdf, 반도체, 판매, 대치품
GateSource Charge1,2 
GateDrain Charge1,2 
TurnOn Delay Time1,2 
Rise Time1,2 
TurnOff Delay Time1,2 
Fall Time1,2 
Qgs 
Qgd 
td(on) 
tr 
td(off) 
tf 
 
Q2 
VDD = 15V, VGS = 10V, 
ID = 25A 
 
 
VDD = 15V,   
ID = 1A, VGS = 10V, RGS = 2.7Ω 
 
Q1   
Q2   
Q1   
Q2   
Q1   
Q2   
Q1   
Q2   
Q1   
Q2   
Q1   
Q2   
Continuous Current 
Forward Voltage1 
SOURCEDRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS (TJ = 25 °C) 
IS    Q1   
Q2   
VSD 
IF = 10A, VGS = 0V 
Q1   
Q2   
Reverse Recovery Time   
trr  Q1  Q1   
IF = 16A, dlF/dt = 100A / S  Q2   
Reverse Recovery Charge 
Qrr  Q2 
IF = 25A, dlF/dt = 100A / S 
1Pulse test : Pulse Width  300 sec, Duty Cycle  2. 
2Independent of operating temperature. 
3Pulse width limited by maximum junction temperature. 
 
 
 
Q1   
Q2   
EMB02Q03HP
5   
13  
5.3  
11  
20  
25   nS
15  
16  
55  
60  
20  
25  
  20 
A 
  33 
  1.2  V 
  1.2 
30   nS
35  
18   nC
25  
2016/4/28 
p.4 

4페이지










EMB02Q03HP 전자부품, 판매, 대치품
  EMB02Q03HP
 
 
G a te C h a rg e C h a ra c te ris tic s
  12
ID = 1 6 A
10 4
C a p a c ita n c e  C h a ra c te ris tic s
  10
 8
 
6
 
4
 
V DS =5V
15V
10V
10 3
10 2
C is s
C o ss
C rss
2
 
f =  1  M H z
V GS= 0  V
 0
0
5
10 15 20
25 30 35
Q g ,G a te C h a rg e ( n C )
10
0
5 10 15 20 25
V DS ‐D ra in S o u rc e  V o lta g e ( V  )
30
 
 
M axim um  Safe Operating Area
1000
 
   1 0 0 R D  S ( O N  ) Limit
10
 
10μs
100μs
1m s
10ms
100ms
 1
1s
DC
 
0 .1 VG  S =  1 0 V
  Single Pulse
R   J  A =  7 0 °C /W
TA   =  2 5 °C
  0.01
0.1
1
10
VD  S  ‐ D ra in S o u rce  V o lta g e( V  )
 
100
Single Pulse Maximum Power Dissipation
100
Single Pulse
Rθ  J A = 70°C/W
80 TA  = 25°C
60
40
20
0
0.001
0.01 0.1 1 10
t 1 ,Time ( sec )
100 1000
 
 1
Duty Cycle = 0.5
  0.2
  0.1
0.1
0.05
 
0.02
  0.01
0.01
  Single Pulse
Transient Thermal Response Curve
 
0.001
  104
 
103
102 101
1
t 1 ,Time (sec)
Notes:
P DM
t1
t2
1.Duty Cycle,D =
t1
t2
2.Rθ  J  A =70°C/W
3.TJ  ‐  TA   = P * Rθ  J A  (t)
4.Rθ  J A (t)=r(t) * RθJA
10 100
1000
 
 
 
 
 
2016/4/28 
p.7 

7페이지


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