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EMB16N06V 데이터시트 PDF




Excelliance MOS에서 제조한 전자 부품 EMB16N06V은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 EMB16N06V 자료 제공

부품번호 EMB16N06V 기능
기능 Field Effect Transistor
제조업체 Excelliance MOS
로고 Excelliance MOS 로고


EMB16N06V 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 5 페이지수

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EMB16N06V 데이터시트, 핀배열, 회로
 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
60V 
D
RDSON (MAX.) 
16mΩ 
ID  15A  G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=15A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
2015/7/13 
EMB16N06V
LIMITS 
±20 
15 
11 
60 
15 
11.25 
5.62 
2.5 
1 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
MAXIMUM 
6 
50 
UNIT 
°C / W 
p.1 




EMB16N06V pdf, 반도체, 판매, 대치품
 
 
TYPICAL CHARACTERISTICS 
 
  50
OnRegion Characteristics
  VG  S = 10V
40
  8.0V
7.0V
  30
5.0V
  20
 
  10
4.5V
 0
012
34 5
  VD S  ‐ DrainSource Voltage( V )
 
  1.9
OnResistance Variation with Temperature
  I D  = 10A
VG  S   = 10V
  1.6
  1.3
 
1.0
 
  0.7
  0.4
  50 25
0 25 50 75 100 125 150
T J  ‐ Junction Temperature ( °C )
 
  30
Transfer Characteristics
  VD  S = 10V
25
 
20
 
  15
  10
T A  = ‐55°C
125°C
25°C
 5
 0
2
 
3 45
VG  S ‐ GateSource Voltage( V )
6
 
 
 
 
2015/7/13 
  EMB16N06V
OnResistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
1.7
1.6
VG  S  = 4.5 V
1.5
1.4
1.3 5.0 V
1.2
1.1
1.0
0.9
0
7.0 V
8.0 V
10 V
10 20 30
I D  ‐ Drain Current( A )
40
50
0.045
0.040
0.035
0.030
0.025
0.020
0.015
0.010
0.005
2
OnResistance Variation with GateSource Voltage
I D  = 5 A
TA   = 125°C
TA   = 25°C
46
8
VG  S ‐ GateSource Voltage( V )
10
Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature
100
10 VG  S  = 0V
1
0.1 T A  = 125°C 25°C
0.01
55°C
0.001
0
0.2 0.4
0.6 0.8 1.0 1.2
VS  D ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
1.4
p.4 

4페이지












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다운로드[ EMB16N06V.PDF 데이터시트 ]

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