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EMB08N06H 데이터시트 PDF




Excelliance MOS에서 제조한 전자 부품 EMB08N06H은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 EMB08N06H 자료 제공

부품번호 EMB08N06H 기능
기능 Field Effect Transistor
제조업체 Excelliance MOS
로고 Excelliance MOS 로고


EMB08N06H 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 6 페이지수

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EMB08N06H 데이터시트, 핀배열, 회로
 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
60V 
D
RDSON (MAX.) 
8mΩ 
ID  60A  G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMB08N06H
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1,3 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=60A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
±20 
60 
35 
170 
60 
180 
90 
50 
20 
55 to 150 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
100% UIS testing in condition of VD=30V, L=0.1mH, VG=10V, IL=40A, Rated VDS=60V N-CH 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
UNIT 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
3Pulsed drain current rating is package limited. 
 
 
 
2.5 
°C / W 
75 
2015/7/15 
p.1 




EMB08N06H pdf, 반도체, 판매, 대치품
 
TYPICAL CHARACTERISTICS 
 
  100
OnRegion Characteristics
  VG  S = 10V
80
  8.0V
  60
  40
 
  20
7.0V
5.0V
4.5V
 0
012
345
  VD S  ‐ DrainSource Voltage( V )
 
  OnResistance Variation with Temperature
1.9
  I D  = 40A
VG  S  = 10V
1.6
 
  1.3
 
1.0
 
  0.7
  0.4
50 25 0 25 50 75 100 125 150
  TJ  ‐ Junction Temperature ( °C )
 
  120
Transfer Characteristics
  VD  S = 10V
100
 
80
 
T A  = ‐55°C
25°C
125°C
  60
  40
  20
 0
2
 
3 45
VG  S ‐ GateSource Voltage( V )
6
 
 
 
 
 
2015/7/15 
  EMB08N06H
OnResistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
1.7
1.6
VG  S  = 4.5 V
1.5
1.4
1.3 5.0 V
1.2
1.1
1.0
0.9
0
7.0 V
8.0 V
10 V
20 40 60
I D  ‐ Drain Current( A )
80
100
0.018
0.016
0.014
OnResistance Variation with GateSource Voltage
I D  = 20 A
0.012
0.010
0.008
0.006
TA   = 125°C
TA   = 25°C
0.004
0.002
2
46
8
VG  S ‐ GateSource Voltage( V )
10
Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature
100
10 VG  S  = 0V
1
0.1 T A  = 125°C 25°C
0.01
55°C
0.001
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
VS  D ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
1.4
p.4 

4페이지












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