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EMBE0N10P 데이터시트 PDF




Excelliance MOS에서 제조한 전자 부품 EMBE0N10P은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 EMBE0N10P 자료 제공

부품번호 EMBE0N10P 기능
기능 Field Effect Transistor
제조업체 Excelliance MOS
로고 Excelliance MOS 로고


EMBE0N10P 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 5 페이지수

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EMBE0N10P 데이터시트, 핀배열, 회로
 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
100V 
D
RDSON (MAX.) 
500mΩ 
ID  1.8A  G
 
UIS 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
VGS 
ID 
IDM 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
PD 
Tj, Tstg 
EMBE0N10P
LIMITS 
±20 
1.8 
1.2 
7.2 
1.47 
0.58 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
W 
°C 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
385°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
 
 
2013/8/30 
TYPICAL 
 
 
MAXIMUM 
35 
85 
UNIT 
°C / W 
p.1 




EMBE0N10P pdf, 반도체, 판매, 대치품
 
  10
 
 8
 6
 
4
 
OnRegion Characteristics
VG  S = 10V
8.0V
7.0V
6.0V
 2
5.0V
 
0
  02
4
6 8 10
VD S  ‐ DrainSource Voltage( V )
 
 
  OnResistance Variation with Temperature
1.9
  I D  = 1.8A
VG  S = 10V
  1.6
  1.3
 
1.0
 
  0.7
 
0.4
  50 25
0 25 50 75 100 125 150
T J  ‐ Junction Temperature (°C)
 
 
Transfer Characteristics
 6
VD  S = 10V
 5
 4
 3
 
2
 
 1
25°C
T A  = ‐55°C 125°C
 0
23
45
6
VG  S ‐ GateSource Voltage( V )
 
 
 
 
 
 
2013/8/30 
  EMBE0N10P
OnResistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
1.35
1.30
1.25
1.20
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0
VG  S  = 5.0 V
2
6.0 V
7.0 V
8.0 V
10 V
46
I D  ‐ Drain Current( A )
8
10
1.00
0.90
0.80
0.70
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
2
OnResistance Variation with GateSource Voltage
I D  = 0.9 A
TA   = 125°C
TA   = 25°C
46
8
VG  S ‐ GateSource Voltage( V )
10
Body Diode Forward Voltage Variation
100 with Source Current and Temperature
V G  S = 0V
10
1
0.1
T  A = 125°C 25°C
55°C
0.01
0.001
0
0.2 0.4
0.6 0.8 1.0 1.2
VS  D ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
1.4
p.4 

4페이지












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다운로드[ EMBE0N10P.PDF 데이터시트 ]

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