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부품번호 | EMBE0N10P 기능 |
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기능 | Field Effect Transistor | ||
제조업체 | Excelliance MOS | ||
로고 | |||
N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary:
BVDSS
100V
D
RDSON (MAX.)
500mΩ
ID 1.8A G
UIS 100% Tested
S
Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
Gate‐Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TA = 25 °C
TA = 100 °C
VGS
ID
IDM
Power Dissipation
TA = 25 °C
TA = 100 °C
Operating Junction & Storage Temperature Range
PD
Tj, Tstg
EMBE0N10P
LIMITS
±20
1.8
1.2
7.2
1.47
0.58
‐55 to 150
UNIT
V
A
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
Junction‐to‐Case
RJC
Junction‐to‐Ambient3
RJA
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2Duty cycle 1%
385°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper.
2013/8/30
TYPICAL
MAXIMUM
35
85
UNIT
°C / W
p.1
10
8
6
4
On‐Region Characteristics
VG S = 10V
8.0V
7.0V
6.0V
2
5.0V
0
02
4
6 8 10
VD S ‐ Drain‐Source Voltage( V )
On‐Resistance Variation with Temperature
1.9
I D = 1.8A
VG S = 10V
1.6
1.3
1.0
0.7
0.4
‐50 ‐25
0 25 50 75 100 125 150
T J ‐ Junction Temperature (°C)
Transfer Characteristics
6
VD S = 10V
5
4
3
2
1
25°C
T A = ‐55°C 125°C
0
23
45
6
VG S ‐ Gate‐Source Voltage( V )
2013/8/30
EMBE0N10P
On‐Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
1.35
1.30
1.25
1.20
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0
VG S = 5.0 V
2
6.0 V
7.0 V
8.0 V
10 V
46
I D ‐ Drain Current( A )
8
10
1.00
0.90
0.80
0.70
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
2
On‐Resistance Variation with Gate‐Source Voltage
I D = 0.9 A
TA = 125°C
TA = 25°C
46
8
VG S ‐ Gate‐Source Voltage( V )
10
Body Diode Forward Voltage Variation
100 with Source Current and Temperature
V G S = 0V
10
1
0.1
T A = 125°C 25°C
‐55°C
0.01
0.001
0
0.2 0.4
0.6 0.8 1.0 1.2
VS D ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
1.4
p.4
4페이지 | |||
구 성 | 총 5 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
EMBE0N10JS | Field Effect Transistor | Excelliance MOS |
EMBE0N10P | Field Effect Transistor | Excelliance MOS |
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