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EMC07N08E PDF 데이터시트 : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 EMC07N08E
기능 Field Effect Transistor
제조업체 Excelliance MOS
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EMC07N08E 데이터시트, 핀배열, 회로
 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
75V 
D
RDSON (MAX.) 
6.5mΩ 
ID 
132A 
G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMC07N08E
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=90A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
±30 
132 
103 
380 
90 
405 
202 
227 
90 
55 to 150 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
100% UIS testing in condition of VD=38V, L=0.1mH, VG=10V, IL=60A, Rated VDS=75V N-CH 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
UNIT 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
0.55 
60 
°C / W 
2015/10/8 
p.1 




EMC07N08E pdf, 반도체, 판매, 대치품
 
 
TYPICAL CHARACTERISTICS 
 
  150
OnRegion Characteristics
VG  S = 10V
 
120
  8.0V
  90
7.0V
 
60
 
  30
 0
 0
12 34
VD S  ‐ DrainSource Voltage( V )
5
 
  1.9
OnResistance Variation with Temperature
  I D  = 40A
VG  S = 10V
1.6
 
  1.3
 
1.0
 
  0.7
  0.4
50 25
0 25
50 75 100 125 150
  T J  ‐ Junction Temperature ( °C )
 
  120
Transfer Characteristics
VD  S = 10V
  100
T A  = ‐55°C
25°C
  80
 
60
 
40
 
  20
 
0
2
 
125°C
3 45
VG  S ‐ GateSource Voltage( V )
6
 
 
 
 
2015/10/8 
  EMC07N08E
OnResistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0
VG  S  = 7.0 V
8.0 V
10 V
30 60 90
I D  ‐ Drain Current( A )
120
150
0.018
0.016
0.014
0.012
0.010
0.008
0.006
0.004
0.002
2
OnResistance Variation with GateSource Voltage
I D  = 30 A
TA   = 125°C
TA   = 25°C
46
8
VG  S ‐ GateSource Voltage( V )
10
Body Diode Forward Voltage Variation
100 with Source Current and Temperature
10 V G S  = 0V
1
0.1 T A  = 125°C 25°C
0.01
55°C
0.001
0
0.2 0.4
0.6 0.8 1.0 1.2
VS  D ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
1.4
p.4 

4페이지













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